[发明专利]完全去除圆片级SOI材料与玻璃静电键合面间金属层的方法

权利要求书

1.完全去除圆片级SOI材料与玻璃静电键合面间金属层的方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一、按照设计所需将SOI硅片上的一部分顶层硅(1)刻蚀形成敏感电阻(2)；

步骤二、对顶层硅(1)和敏感电阻(2)的上表面进行热氧化和化学气相沉积处理形成复合介质膜(3)；

步骤三、在复合介质膜(3)上涂光刻胶后进行光刻，光刻胶形成带有多层金属电极孔图形(9)的金属电极孔掩膜板(6)，利用该金属电极孔掩膜板(6)刻蚀去除多层金属电极孔图形(9)位置所对应的复合介质膜(3)，形成多层金属电极孔(4)；

金属电极孔掩膜板(6)上多层金属电极孔图形(9)的区域为透光区、其余部分为阻光区；

步骤四、对不同金属进行蒸发或溅射处理，使多层金属电极孔(4)以内的顶层硅(1)上和多层金属电极孔(4)以外的复合介质膜(3)上均附着有多层金属膜；

步骤五、在多层金属膜上涂光刻胶后进行光刻，光刻胶形成带有多层金属电极图形(10)的金属电极掩膜板(7)，利用该金属电极掩膜板(7)刻蚀去除多层金属电极图形(10)以外的位置所对应的多层金属膜，多层金属膜剩余部分形成多层金属电极(5)；

金属电极掩膜板(7)上多层金属电极图形(10)的位置与金属电极孔掩膜板(6)上多层金属电极孔图形(9)的位置对应、且多层金属电极图形(10)的区域为阻光区、其余部分为透光区；

步骤六、在多层金属电极(5)和复合介质膜(3)上涂光刻胶后进行光刻，光刻胶形成带有金属电极保护图形(12)和敏感电阻区图形(11)的介质膜掩膜板(8)，利用该介质膜掩膜板(8)刻蚀去除金属电极保护图形(12)和敏感电阻区图形(11)以外的位置所对应的复合介质膜(3)；

金属电极保护图形(12)与多层金属电极(5)的位置对应且完全覆盖多层金属电极(5)，敏感电阻区图形(11)的位置与敏感电阻(2)的位置对应，且该介质膜掩膜板(8)上多层金属电极图形(10)的区域和敏感电阻区图形(11)的区域均为阻光区、其余部分为透光区；

步骤七、对多层金属电极(5)进行退火。

2.根据权利要求1所述的完全去除圆片级SOI材料与玻璃静电键合面间金属层的方法，其特征在于，步骤二中对顶层硅(1)和敏感电阻(2)的上表面进行热氧化和化学气相沉积处理形成复合介质膜(3)，具体为：先对顶层硅(1)和敏感电阻(2)的上表面进行热氧化形成二氧化硅SiO₂层，再采用低压力化学气相沉积法LPCVD在SiO₂层上沉积形成氮化硅Si₃N₄层，SiO₂层与Si₃N₄层构成复合介质膜。

3.根据权利要求1所述的完全去除圆片级SOI材料与玻璃静电键合面间金属层的方法，其特征在于，步骤二对顶层硅(1)和敏感电阻(2)的上表面进行热氧化和化学气相沉积处理形成复合介质膜(3)，具体为：先对顶层硅(1)和敏感电阻(2)的上表面进行热氧化形成SiO₂层，再采用等离子体增强化学气相沉积法PECVD在SiO₂层上沉积形成SiO₂/Si₃N₄复合层，SiO₂层与SiO₂/Si₃N₄复合层构成复合介质膜。

4.根据权利要求2所述的完全去除圆片级SOI材料与玻璃静电键合面间金属层的方法，其特征在于，步骤二中热氧化形成的SiO₂层的厚度为LPCVD沉积形成的Si₃N₄层的厚度为

5.根据权利要求3所述的完全去除圆片级SOI材料与玻璃静电键合面间金属层的方法，其特征在于，步骤二热氧化形成的SiO2层的厚度为PECVD沉积形成的SiO₂/Si₃N₄复合层中的SiO₂层厚度为Si₃N₄层厚度为