[发明专利]用于气体光电探测器的阻性光阴极、制备方法及测试方法有效
申请号: | 201810851558.9 | 申请日: | 2018-07-25 |
公开(公告)号: | CN108982476B | 公开(公告)日: | 2020-05-12 |
发明(设计)人: | 周意;吕游;尚伦霖;张广安;鲁志斌;刘建北;张志永;丰建鑫 | 申请(专利权)人: | 中国科学技术大学 |
主分类号: | G01N21/69 | 分类号: | G01N21/69;H01L31/0224;C23C14/06;C23C14/35 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 李坤 |
地址: | 230026 安*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本公开提供一种用于气体光电探测器的阻性光阴极、制备方法及测试方法,该用于气体光电探测器的阻性光阴极包括:基底层以及DLC薄膜,该DLC薄膜形成于基底层的上表面。本公开实施例提供的用于气体光电探测器的阻性光阴极、制备方法及测试方法使用DLC薄膜来制备阻性光阴极材料,采用磁控溅射方法在基底层上沉积DLC薄膜,使得DLC一方面能够作为气体探测器的透射式光阴极材料,另一方面也能够适用于气体探测器的阻性电极材料应用,并且通过优化改进DLC制备的工艺参数,使得在基底层上能够得到量子效率高,电阻率合适,厚度均匀性好,结合力强的DLC薄膜。 | ||
搜索关键词: | 用于 气体 光电 探测器 阻性光 阴极 制备 方法 测试 | ||
【主权项】:
1.一种用于气体光电探测器的阻性光阴极,包括:基底层;以及DLC薄膜,形成于所述基底层的上表面。
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