[发明专利]用于气体光电探测器的阻性光阴极、制备方法及测试方法

权利要求书

1.一种用于气体光电探测器的阻性光阴极，包括：

基底层；所述基底层为MgF₂晶体；所述基底层的厚度介于2mm至4mm之间；以及

DLC薄膜，形成于所述基底层的上表面，所述DLC薄膜用于作为透射式光阴极材料；所述DLC薄膜的厚度介于10nm至50nm之间；所述DLC薄膜的面电阻值介于10MΩ/口至100MΩ/口之间。

2.一种如权利要求1所述的气体光电探测器的阻性光阴极的制备方法，使用磁控溅射设备，包括：

步骤A：装夹所述基底层，使其上表面暴露于磁控溅射真空腔室内；

步骤B：对所述基底层的上表面进行轰击与刻蚀；

步骤C：在所述基底层的上表面溅射沉积所述DLC薄膜。

3.根据权利要求2所述的气体光电探测器的阻性光阴极的制备方法，还包括步骤1：对磁控溅射设备的高纯石墨靶材表面进行溅射清洗。

4.根据权利要求2所述的气体光电探测器的阻性光阴极的制备方法，其中：

所述步骤A中，将基底层的背面以及侧面使用铝箔进行包裹，并放入托盘中；

所述基底层的底面和侧面嵌设于所述托盘的底面和内表面上。

5.根据权利要求3所述的气体光电探测器的阻性光阴极的制备方法，所述高纯石墨靶材的纯度不低于99.99％。

6.根据权利要求2所述的气体光电探测器的阻性光阴极的制备方法，所述步骤C中：高纯石墨靶材的电流为1A，设置偏压为30V。

7.一种用于气体光电探测器的阻性光阴极的测试方法，包括：

步骤10：使用万用表测试如权利要求1所述的用于气体光电探测器的阻性光阴极的面电阻率。

8.根据权利要求7所述的用于气体光电探测器的阻性光阴极的测试方法，还包括：步骤20：使用波长为213纳米的激光对如权利要求1所述的的用于气体光电探测器的阻性光阴极进行性能测试。

9.根据权利要求7所述的用于气体光电探测器的阻性光阴极的测试方法，还包括：步骤30：在大型强子对撞机LHC的束流区环境下，使用Muon束流对如权利要求1所述的用于气体光电探测器的阻性光阴极进行性能测试。