[发明专利]一种改善铜沉积富积的方法

摘要

本发明公开一种改善铜沉积富积的方法，其中包括：提供一半导体结构，半导体结构包括一衬底，衬底具有用以形成互连结构的沟槽；还包括以下步骤：步骤S1、通过等离子体溅射工艺处理沟槽以使沟槽开口处圆滑；步骤S2、于沟槽的表面形成一阻挡层；步骤S3、于一第一偏压功率下，阻挡层的表面生成一具有第一预定厚度的第一种子层；步骤S4、于一第二偏压功率下，第一种子层的表面生成一具有第二预定厚度的第二种子层；第一预定厚度大于第二预定厚度。本发明的技术方案有益效果在于：公开一种改善铜沉积富积的方法，步骤简单，成本低，通过改善沟槽开口处的圆滑度和沟槽侧壁的覆盖率，来满足小尺寸线宽的铜沉积的要求，有效改善沟槽开口处的富积率。

主权项

1.一种改善铜沉积富积的方法，其特征在于，包括：提供一半导体结构，所述半导体结构包括一衬底，所述衬底具有用以形成互连结构的沟槽；还包括以下步骤：步骤S1、通过等离子体溅射工艺处理所述沟槽以使所述沟槽开口处圆滑；步骤S2、于所述沟槽的表面形成一阻挡层；步骤S3、于一第一偏压功率下，所述阻挡层的表面生成一具有第一预定厚度的第一种子层；步骤S4、于一第二偏压功率下，所述第一种子层的表面生成一具有第二预定厚度的第二种子层；所述第一预定厚度大于所述第二预定厚度。