[发明专利]一种改善铜沉积富积的方法

说明书

本发明公开一种改善铜沉积富积的方法，其中包括：提供一半导体结构，半导体结构包括一衬底，衬底具有用以形成互连结构的沟槽；还包括以下步骤：步骤S1、通过等离子体溅射工艺处理沟槽以使沟槽开口处圆滑；步骤S2、于沟槽的表面形成一阻挡层；步骤S3、于一第一偏压功率下，阻挡层的表面生成一具有第一预定厚度的第一种子层；步骤S4、于一第二偏压功率下，第一种子层的表面生成一具有第二预定厚度的第二种子层；第一预定厚度大于第二预定厚度。本发明的技术方案有益效果在于：公开一种改善铜沉积富积的方法，步骤简单，成本低，通过改善沟槽开口处的圆滑度和沟槽侧壁的覆盖率，来满足小尺寸线宽的铜沉积的要求，有效改善沟槽开口处的富积率。

技术领域

本发明涉及半导体工艺技术领域，尤其涉及一种改善铜沉积富积的方法。

背景技术

随着半导体工艺的发展，半导体的技术要求日益严格，不断缩小互连线的线宽，互连线的稳定性对种子层的沉积带来的挑战越来越大，出现了各种型号的沉积铜的设备，去满足小线宽的要求。

目前，互连线宽的尺寸不断减小，在现有的电镀铜腔室的基础上，种子层生成的过程中，容易出现沟槽开口富积的现象，导致在电镀铜及机械研磨工艺之后，出现沉积空洞或者受损的现象。

发明内容

针对现有技术中存在的上述问题，现提供一种一种改善铜沉积富积的方法。

具体技术方案如下：

一种改善铜沉积富积的方法，其中包括：

提供一半导体结构，所述半导体结构包括一衬底，所述衬底具有用以形成互连结构的沟槽；

还包括以下步骤：

步骤S1、通过等离子体溅射工艺处理所述沟槽以使所述沟槽开口处圆滑；

步骤S2、于所述沟槽的表面形成一阻挡层；

步骤S3、于一第一偏压功率下，所述阻挡层的表面生成一具有第一预定厚度的第一种子层；

步骤S4、于一第二偏压功率下，所述第一种子层的表面生成一具有第二预定厚度的第二种子层；

所述第一预定厚度大于所述第二预定厚度。

优选的，于所述步骤S1中，通过所述等离子体溅射工艺处理所述衬底及所述沟槽侧壁，以去除所述衬底及所述沟槽侧壁上的原生氧化膜，以使所述沟槽开口处圆滑。

优选的，所述等离子体为氩离子。

优选的，所述阻挡层的厚度为

优选的，所述第一预定厚度为

优选的，所述第二预定厚度为

优选的，所述第一偏压功率维持在200-450W。

优选的，所述第二偏压功率维持在800-1200W。

优选的，于所述步骤S4之后，于所述沟槽中填充金属铜。

优选的，填充金属铜的方法为电镀。

本发明的技术方案有益效果在于：公开一种改善铜沉积富积的方法，步骤简单，成本低，通过改善沟槽开口处的圆滑度和沟槽侧壁的覆盖率，来满足小尺寸线宽的铜沉积的要求，有效改善沟槽开口处的富积率。

附图说明

参考所附附图，以更加充分的描述本发明的实施例。然而，所附附图仅用于说明和阐述，并不构成对本发明范围的限制。

图1为本发明中，关于改善铜沉积富积的方法的流程图；

图2-6为本发明的较优的实施例中，关于改善铜沉积富积的方法的工艺过程示意图。

具体实施方式