[发明专利]具有通过使用钙钛矿薄单晶形成的光敏场效应晶体管在审
| 申请号： | 201810843829.6 | 申请日： | 2018-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN110767807A | 公开（公告）日： | 2020-02-07 |
| 发明（设计）人： | 于伟利;邹雨婷;郭春雷 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | H01L51/42 | 分类号： | H01L51/42;H01L51/48 |
| 代理公司： | 44316 深圳市科进知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 曹卫良 |
| 地址： | 130033 吉林省长春*** | 国省代码： | 吉林;22 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了使用钙钛矿薄单晶形成的光敏场效应晶体管，其结构包括光源、底部栅电极、底栅绝缘层、光敏层、源电极和漏电极。该结构的光敏场效应晶体管，底栅绝缘层覆于底栅之上，光敏层覆于底栅绝缘层之上，源、漏电极覆于光敏层的两侧，中间部分形成沟道。本发明提供的具有通过使用钙钛矿薄单晶形成的光敏场效应晶体管克服了钙钛矿晶界所造成的负面影响，从而有效地提高了电荷的传输，且钙钛矿薄单晶这种材料作为光敏层在光照条件下可以产生足够多的光生载流子，使电子和空穴的迁移率均有显著地提升，进而影响其阈值电压、陷阱密度，实现了对电流的放大。 | ||
| 搜索关键词： | 钙钛矿 光敏层 场效应晶体管 底栅绝缘层 单晶 光敏 漏电极 空穴 底部栅电极 光生载流子 负面影响 光照条件 阈值电压 电荷 迁移率 有效地 源电极 底栅 沟道 晶界 光源 放大 陷阱 传输 | ||
【主权项】：
1.一种使用钙钛矿薄单晶形成的光敏场效应晶体管，其特征在于，底部栅电极、底栅绝缘层、光敏层、源电极和漏电极，所述的光敏层材料为钙钛矿薄单晶；其中，/n底栅绝缘层覆于底部栅电极之上，光敏层覆于底栅绝缘层之上，源电极和漏电极覆于光敏层的两侧，光敏层位于源电极和漏电极中间的部分形成沟道。/n
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