[发明专利]具有通过使用钙钛矿薄单晶形成的光敏场效应晶体管

权利要求书

1.一种使用钙钛矿薄单晶形成的光敏场效应晶体管，其特征在于，底部栅电极、底栅绝缘层、光敏层、源电极和漏电极，所述的光敏层材料为钙钛矿薄单晶；其中，

底栅绝缘层覆于底部栅电极之上，光敏层覆于底栅绝缘层之上，源电极和漏电极覆于光敏层的两侧，光敏层位于源电极和漏电极中间的部分形成沟道。

2.如权利要求1所述的使用钙钛矿薄单晶形成的光敏场效应晶体管，其特征在于，所述钙钛矿薄单晶的晶体结构为立方相结构、四方相结构和正交相结构。

3.如权利要求1所述的使用钙钛矿薄单晶形成的光敏场效应晶体管，其特征在于，晶体管为左右对称结构。

4.如权利要求1所述的使用钙钛矿薄单晶形成的光敏场效应晶体管，其特征在于，所述底部栅电极的材料为Si。

5.如权利要求1所述的使用钙钛矿薄单晶形成的光敏场效应晶体管，其特征在于，所述、聚甲基丙烯甲酯、CYTOP中的一种。

6.如权利要求1所述的使用钙钛矿薄单晶形成的光敏场效应晶体管，其特征在于，所述源电极、漏电极和栅电极的材料为金、铂、银、铝中的一种。

7.如权利要求1所述的使用钙钛矿薄单晶形成的光敏场效应晶体管，其特征在于，所述钙钛矿单晶为CsPbX₃的钙钛矿单晶，所述X为Br、Cl、I及F中的一种或者由所述Br、Cl、I及F相互任意掺杂而成。

8.如权利要求1所述的使用钙钛矿薄单晶形成的光敏场效应晶体管，其特征在于，所述钙钛矿单晶为APbX₃的钙钛矿单晶，所述A为Li，Na，K，Rb，Cs，MA，FA任何一种或者由所述Li，Na，K，Rb，Cs，MA，FA相互任意掺杂而成，所述X为Br，Cl，I及F中任何一种或者由所述Br，Cl，I及F相互任意掺杂而成。

9.如权利要求1所述的使用钙钛矿薄单晶形成的光敏场效应晶体管，其特征在于，所述钙钛矿单晶为AMX₃的钙钛矿单晶，所述M为Be，Mg，Ca，Sr，Ba，Zn，Ge，Sn，Pb，Fe，Co，Ni中任何一种或者由所述Be，Mg，Ca，Sr，Ba，Zn，Ge，Sn，Pb，Fe，Co，Ni相互任意掺杂而成，所述A为Li，Na，K，Rb，Cs，MA，FA中任何一种或者由Li，Na，K，Rb，Cs，MA，FA相互任意掺杂而成，所述X为Br，Cl，I及F中任何一种或者由所述Br，Cl，I及F相互任意掺杂而成。

10.如权利要求1所述的使用钙钛矿薄单晶形成的光敏场效应晶体管，其特征在于，所述钙钛矿单晶为AMX₆的双元晶胞钙钛矿单晶，所述M为Be，Mg，Ca，Sr，Ba，Zn，Ge，Sn，Pb，Fe，Co，Ni中任何一种或者由所述Be，Mg，Ca，Sr，Ba，Zn，Ge，Sn，Pb，Fe，Co，Ni相互任意掺杂而成，所述A为Li，Na，K，Rb，Cs，MA，FA中任何一种或者由Li，Na，K，Rb，Cs，MA，FA相互任意掺杂而成，所述X为Br，Cl，I及F中任何一种或者由所述Br，Cl，I及F相互任意掺杂而成。

11.如权利要求1所述的使用钙钛矿薄单晶形成的光敏场效应晶体管，其特征在于，光敏场效应晶体管的结构为底栅顶接触结构、底栅底接触结构、顶栅顶接触结构及顶栅底接触结构。

12.如权利要求1所述的使用钙钛矿薄单晶形成的光敏场效应晶体管，其特征在于，钙钛矿薄单晶的厚度从十纳米到十微米。