[发明专利]一种OLED封装结构及封装方法在审
| 申请号： | 201810843179.5 | 申请日： | 2018-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN108922985A | 公开（公告）日： | 2018-11-30 |
| 发明（设计）人： | 王毅;王军;张孔欣 | 申请（专利权）人： | 扬州扬杰电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/52 | 分类号： | H01L51/52 |
| 代理公司： | 扬州市苏为知识产权代理事务所(普通合伙) 32283 | 代理人： | 周全;葛军 |
| 地址： | 225008 江苏省扬*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种OLED封装结构及封装方法。涉及封装技术领域，尤其涉及一种OLED封装结构及封装方法。提供了一种能够阻挡水汽、氧气的作用强，封装效果好，具有较高的机械强度，有效提升OLED器件的发光品质与使用寿命的OLED封装结构及封装方法。包括相对设置的衬底基板和封装盖板，其特征在于，所述衬底基板和封装盖板之间依次设有ITO电极层、SiO2绝缘层、金属过渡层和铟锡合金层，所述ITO电极层设在衬底基板上，所述ITO电极层包括ITO阳极和ITO阴极，所述ITO阳极和ITO阴极之间具有发光层。 | ||
| 搜索关键词： | 封装 封装结构 衬底基板 阴极 封装盖板 金属过渡层 铟锡合金层 发光品质 使用寿命 相对设置 水汽 发光层 氧气 阻挡 | ||
【主权项】：
1.一种OLED封装结构，包括相对设置的衬底基板和封装盖板，其特征在于，所述衬底基板和封装盖板之间依次设有ITO电极层、SiO2绝缘层、金属过渡层和铟锡合金层，所述ITO电极层设在衬底基板上，所述ITO电极层包括ITO阳极和ITO阴极，所述ITO阳极和ITO阴极之间具有发光层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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