[发明专利]一种OLED封装结构及封装方法在审
申请号: | 201810843179.5 | 申请日: | 2018-07-27 |
公开(公告)号: | CN108922985A | 公开(公告)日: | 2018-11-30 |
发明(设计)人: | 王毅;王军;张孔欣 | 申请(专利权)人: | 扬州扬杰电子科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52 |
代理公司: | 扬州市苏为知识产权代理事务所(普通合伙) 32283 | 代理人: | 周全;葛军 |
地址: | 225008 江苏省扬*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 封装 封装结构 衬底基板 阴极 封装盖板 金属过渡层 铟锡合金层 发光品质 使用寿命 相对设置 水汽 发光层 氧气 阻挡 | ||
1.一种OLED封装结构,包括相对设置的衬底基板和封装盖板,其特征在于,所述衬底基板和封装盖板之间依次设有ITO电极层、SiO2绝缘层、金属过渡层和铟锡合金层,所述ITO电极层设在衬底基板上,所述ITO电极层包括ITO阳极和ITO阴极,所述ITO阳极和ITO阴极之间具有发光层。
2.根据权利要求1所述的一种OLED封装结构,其特征在于,所述金属过渡层为铬和银铜合金。
3.一种权利要求1所述的OLED封装结构的封装方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤1,在衬底基板上制作OLED器件,得到OLED基板;
步骤2,在OLED基板上镀一层SiO2绝缘层,作为封接边框的第一层;
步骤3,在SiO2 绝缘层上面镀一层金属过渡层,作为封接边框的第二层;
步骤4,铟锡合金层作为封接边框的第三层;
步骤5,提供封装盖板,将封装盖板与所述OLED基板对位压合,铟封连接封装盖板与OLED基板,形成OLED封装结构。
4.根据权利要求3所述的一种OLED封装结构的封装方法,其特征在于,步骤1)中,衬底基板为镀有ITO薄膜的玻璃,形成ITO玻璃基板,对ITO玻璃基板进行刻蚀操作。
5.根据权利要求4所述的一种OLED封装结构的封装方法,其特征在于,刻蚀ITO玻璃基板包括以下步骤:
1.1)将清洗好的带有 ITO 薄膜的玻璃用镊子从酒精中取出,用 N2吹干玻璃上的酒精;
1.2)用透明胶带粘贴在镀有 ITO 薄膜的玻璃上,然后用刻刀和直尺刻出所需的形状,去除多余的胶带;
1.3)用无尘布沾取丙酮或酒精擦拭掉胶带留下的不干胶,
1.4)将用胶带粘贴好并擦拭干净后的玻璃用镊子放入装有酸溶液的烧杯中进行腐蚀;
1.5)3-5分钟后,用镊子将玻璃取出来,用水反复冲洗,去除表面残留的稀盐酸,然后去除 ITO 图形处的胶带,用丙酮或酒精擦拭干净玻璃。
6.根据权利要求3所述的一种OLED封装结构的封装方法,其特征在于,步骤4)中,镀完铟锡合金层后,采用砂纸对铟锡合金层进行打磨抛光处理。
7.根据权利要求3所述的一种OLED封装结构的封装方法,其特征在于,步骤5)中,封装盖板与OLED基板对位压合后,运用激光对铟锡合金层进行局部加热,从而封接盖板与OLED基板,形成OLED封装结构。
8.根据权利要求3所述的一种OLED封装结构的封装方法,其特征在于,步骤5)中,所述封装盖板朝向衬底基板的一侧镀制金属过渡层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择