[发明专利]电光装置在审
申请号: | 201810842387.3 | 申请日: | 2018-07-27 |
公开(公告)号: | CN109326627A | 公开(公告)日: | 2019-02-12 |
发明(设计)人: | 腰原健 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;邓毅 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供电光装置,即使在开口率增大的情况下也能够抑制因视角引起的颜色变化的偏差。在从+Z方向俯视时,接触区域(Ca)与划分出发光区域(Ha)的边界线的交点重叠。像素(MPx1)内的接触区域(CaB1)与交点(P11)重叠。由于交点位于远离发光区域(HaR、HaG、HaB1、HaB2)的中心的位置,所以能够抑制发光区域减小。并且,接触区域与划分出发光区域的边界线的交点重叠,由此,与按照各发光区域对接触区域进行均等分割而得的区域对应地,能够使与边界线的交点接触的各发光区域变窄。通过使各发光区域与进行均等分割而得的区域对应地变窄,能够使发光区域彼此的间隔接近均等,抑制因视角引起的颜色变化的偏差。 | ||
搜索关键词: | 发光区域 接触区域 边界线 电光装置 区域对应 颜色变化 光区域 变窄 视角 开口率 增大的 分割 减小 像素 俯视 | ||
【主权项】:
1.一种电光装置,其特征在于,该电光装置具有多个像素,该多个像素沿着第1方向和与所述第1方向交叉的第2方向排列,所述多个像素各自具有:第1子像素和第2子像素,它们沿着所述第1方向配置;以及第4子像素和第3子像素,它们沿着所述第1方向配置,所述第4子像素和所述第1子像素沿着所述第2方向配置,所述第3子像素和所述第2子像素沿着所述第2方向配置,所述多个像素各自具有与所述第1子像素、所述第2子像素、所述第3子像素以及所述第4子像素分别对应的滤色器,所述第1子像素、所述第2子像素、所述第3子像素以及所述第4子像素各自具有:发光元件,其具有发光区域;供给电路,其输出供给到所述发光元件的电流;以及接触区域,在该接触区域中配置有将所述发光元件与所述供给电路电连接的触点,所述接触区域与如下边界线的交点重叠,所述边界线对分别设置于所述第1子像素、所述第2子像素、所述第3子像素以及所述第4子像素的所述发光区域进行划分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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