[发明专利]电光装置在审
申请号: | 201810842387.3 | 申请日: | 2018-07-27 |
公开(公告)号: | CN109326627A | 公开(公告)日: | 2019-02-12 |
发明(设计)人: | 腰原健 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;邓毅 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光区域 接触区域 边界线 电光装置 区域对应 颜色变化 光区域 变窄 视角 开口率 增大的 分割 减小 像素 俯视 | ||
提供电光装置,即使在开口率增大的情况下也能够抑制因视角引起的颜色变化的偏差。在从+Z方向俯视时,接触区域(Ca)与划分出发光区域(Ha)的边界线的交点重叠。像素(MPx1)内的接触区域(CaB1)与交点(P11)重叠。由于交点位于远离发光区域(HaR、HaG、HaB1、HaB2)的中心的位置,所以能够抑制发光区域减小。并且,接触区域与划分出发光区域的边界线的交点重叠,由此,与按照各发光区域对接触区域进行均等分割而得的区域对应地,能够使与边界线的交点接触的各发光区域变窄。通过使各发光区域与进行均等分割而得的区域对应地变窄,能够使发光区域彼此的间隔接近均等,抑制因视角引起的颜色变化的偏差。
技术领域
本发明涉及电光装置。
背景技术
在包含有机EL(electro luminescent:电致发光)元件等发光元件的电光装置中,为了实现彩色显示,公知有如下的结构:在覆盖发光元件的密封层上设置使期望的波长区域的光透过的滤色器。并且,在这样的电光装置中,通常通过由多个子像素构成的像素来形成一个显示单位。并且,设置于电光装置的子像素具有:发光元件,其具有发光区域;供给电路,其输出供给到发光元件的电力;以及接触区域,其将供给电路与发光元件电连接。例如,在专利文献1公开了通过红色、绿色、蓝色这3原色的子像素来形成1个像素的电光装置。公开了在该电光装置中经由接触区域将发光元件与供给电路电连接。
专利文献1:日本特开2009-282190号公报
另外,子像素的配置被设计成使发光元件变大以使开口率变高。因此,发光元件被配置成尽可能大。但是,由于在被配置成尽可能大的发光元件之间设置有接触区域,所以在上述以往的电光装置中,出现了子像素的发光元件经由接触区域而彼此相邻的部位、以及子像素的发光元件不经由接触区域而彼此相邻的部位。因此,当在各发光元件上配置各滤色器的情况下,某个子像素的发光元件与和某个子像素相邻的滤色器之间的距离在子像素间分别不同。
当上述距离在子像素间分别不同时,关于某个视角,在从某个子像素的发光元件射出的光透过与上述某个子像素相邻的滤色器而发生颜色变化时,从另一子像素的发光元件射出的光不会透过与上述另一子像素相邻的滤色器而出现不发生颜色变化的状况。这样,存在如下问题:当某个子像素的发光元件与和某个子像素相邻的滤色器之间的距离在子像素间分别不同时,会产生因视角引起的颜色变化的偏差。
发明内容
本发明所要解决课题之一在于,即使在开口率变高的情况下也能够抑制因视角引起的颜色变化的偏差。
本发明一个方式的电光装置的特征在于,该电光装置具有多个像素,该多个像素沿着第1方向和与所述第1方向交叉的第2方向排列,所述多个像素各自具有:第1子像素和第2子像素,它们沿着所述第1方向配置;以及第4子像素和第3子像素,它们沿着所述第1方向配置,所述第4子像素和所述第1子像素沿着所述第2方向配置,所述第3子像素和所述第2子像素沿着所述第2方向配置,所述多个像素各自具有与所述第1子像素、所述第2子像素、所述第3子像素以及所述第4子像素分别对应的滤色器,所述第1子像素、所述第2子像素、所述第3子像素以及所述第4子像素各自具有:发光元件,其具有发光区域;供给电路,其输出供给到所述发光元件的电流;以及接触区域,在该接触区域中配置有将所述发光元件与所述供给电路电连接的触点,所述接触区域与如下边界线的交点重叠,所述边界线对分别设置于所述第1子像素、所述第2子像素、所述第3子像素以及所述第4子像素的所述发光区域进行划分。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的