[发明专利]电阻模型物理参数提取方法在审

专利信息
申请号: 201810840455.2 申请日: 2018-07-27
公开(公告)号: CN109117529A 公开(公告)日: 2019-01-01
发明(设计)人: 王伟 申请(专利权)人: 上海华力集成电路制造有限公司
主分类号: G06F17/50 分类号: G06F17/50;G06N3/12
代理公司: 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人: 郭四华
地址: 201315 上海市浦东新区中国(上*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种电阻模型物理参数提取方法,包括步骤:步骤一、制作多个电阻,测试各电阻的长度、宽度和电阻值;步骤二、选取电阻模型物理参数,电阻模型物理参数包括3个,分别为:归一化方块电阻,修正线长,修正线宽;步骤三、设定电阻累积误差函数,公式为:步骤四、采用遗传算法提取归一化方块电阻、修正线长和所述修正线宽的取值,在遗传算法流程中采用电阻累积误差函数作为适应度函数。本发明能有效降低参数拟合误差并降低拟合时间。
搜索关键词: 电阻 电阻模型 物理参数 修正 方块电阻 累积误差 遗传算法 归一化 线长 线宽 适应度函数 参数拟合 拟合 测试 制作
【主权项】:
1.一种电阻模型物理参数提取方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤一、制作多个电阻,测试各所述电阻的长度、宽度和电阻值,所述电阻的个数为n,第i个电阻对应的长度用L(i)表示,宽度用W(i)表示,电阻值用R(i)表示,1≦i≦n;步骤二、选取电阻模型物理参数,电阻模型物理参数包括3个,分别为:归一化方块电阻,修正线长,修正线宽;所述归一化方块电阻用Rsh表示,所述修正线长用DL表示,所述修正线宽用DW表示;步骤三、设定电阻累积误差函数,所述电阻累积误差函数用公式表示为:步骤四、采用遗传算法提取所述归一化方块电阻、所述修正线长和所述修正线宽的取值,在遗传算法流程中采用所述电阻累积误差函数作为适应度函数。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力集成电路制造有限公司,未经上海华力集成电路制造有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201810840455.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top