[发明专利]电阻模型物理参数提取方法

权利要求书

1.一种电阻模型物理参数提取方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一、制作多个电阻，测试各所述电阻的长度、宽度和电阻值，所述电阻的个数为n，第i个电阻对应的长度用L(i)表示，宽度用W(i)表示，电阻值用R(i)表示，1≦i≦n；

步骤二、选取电阻模型物理参数，电阻模型物理参数包括3个，分别为：归一化方块电阻，修正线长，修正线宽；所述归一化方块电阻用Rsh表示，所述修正线长用DL表示，所述修正线宽用DW表示；

步骤三、设定电阻累积误差函数，所述电阻累积误差函数用公式表示为：

步骤四、采用遗传算法提取所述归一化方块电阻、所述修正线长和所述修正线宽的取值，在遗传算法流程中采用所述电阻累积误差函数作为适应度函数。

2.如权利要求1所述的电阻模型物理参数提取方法，其特征在于：步骤四中包括步骤：

步骤41、产生初始种群，所述初始种群包括多个个体，所述初始种群的各个体由对应初始取值的所述归一化方块电阻、所述修正线长和所述修正线宽组成；以所述初始种群作为当代种群进行步骤42；

步骤42、将所述当代种群中的各个体代入到所述电阻累积误差函数中进行电阻累积误差值的计算，根据所述电阻累积误差值进行收敛判断；如果判断结果为收敛，则将对应的个体输出；如果判断结果为非收敛，则进行后续步骤43；

步骤43、形成下一代种群，所述下一代种群的步骤包括：

对所述当代种群进行选择操作；

对所述选择操作后对应的个体进行交叉操作；

对所述选择操作后对应的个体进行变异操作；

通过所述选择操作、所述交叉操作和所述变异操作得到所述下一代种群；

以所述下一代种群作为当代种群进行步骤42。

3.如权利要求2所述的电阻模型物理参数提取方法，其特征在于：在步骤四中，在步骤41之前还包括设定如下参数的步骤：所述归一化方块电阻、所述修正线长和所述修正线宽的上下限约束条件，所述遗传算法的种群大小、概率大小、最大迭代次数、编码方式、选择模式和交叉模式。

4.如权利要求3所述的电阻模型物理参数提取方法，其特征在于：步骤41中所述初始种群中的各个体的值按照所述归一化方块电阻、所述修正线长和所述修正线宽的上下限约束条件随机产生。

5.如权利要求4所述的电阻模型物理参数提取方法，其特征在于：各所述个体的所述归一化方块电阻、所述修正线长和所述修正线宽采用二进制编码方式编码。

6.如权利要求3所述的电阻模型物理参数提取方法，其特征在于：所述选择操作的选择模式包括轮盘赌选择法。

7.如权利要求3所述的电阻模型物理参数提取方法，其特征在于：所述交叉操作的交叉模式包括单点交叉或多点交叉。

8.如权利要求3所述的电阻模型物理参数提取方法，其特征在于：所述遗传算法的概率大小的设置包括设置交叉概率和变异概率的大小。

9.如权利要求8所述的电阻模型物理参数提取方法，其特征在于：在进行所述交叉操作之前先产生一随机数，如果随机数小于所述交叉概率则进行所述交叉操作；如果随机数大于所述交叉概率则进行后续的所述变异操作。

10.如权利要求8所述的电阻模型物理参数提取方法，其特征在于：在进行所述变异操作之前先产生一随机数，如果随机数小于所述变异概率则进行所述变异操作；如果随机数大于所述变异概率则进行后续的步骤42。

11.如权利要求1所述的电阻模型物理参数提取方法，其特征在于：步骤一中各所述电阻为片上电阻，在半导体晶圆上制作各所述电阻。

12.如权利要求11所述的电阻模型物理参数提取方法，其特征在于：所述半导体晶圆为硅晶圆。