[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板以及显示装置有效
| 申请号： | 201810840346.0 | 申请日： | 2018-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN109037345B | 公开（公告）日： | 2022-06-07 |
| 发明（设计）人： | 苏同上;王东方;王庆贺;闫梁臣 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L29/06;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 赵天月 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板以及显示装置。其中，薄膜晶体管的有源层包括沟道区、第一导体化区和第二导体化区，沟道区设置在第一导体化区和第二导体化区之间，其中，沟道区包括相对的第一边和第二边，第一边与第一导体化区的第三边相接触，第二边与第二导体化区的第四边相接触，且第一边的长度大于第三边的长度。发明人发现，该薄膜晶体管的结构简单、易于实现，良率较高，沟道区在沿第一边的方向上的宽度较均匀，使得薄膜晶体管的阈值电压较均匀，沟道区几乎不会出现导体化的现象。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制作方法 阵列 以及 显示装置 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管的有源层包括沟道区、第一导体化区和第二导体化区，所述沟道区设置在所述第一导体化区和所述第二导体化区之间，其中，所述沟道区包括相对的第一边和第二边，所述第一边与所述第一导体化区的第三边相接触，所述第二边与所述第二导体化区的第四边相接触，且所述第一边的长度大于所述第三边的长度。
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