[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板以及显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管包括：

有源层，所述有源层包括沟道区、第一导体化区和第二导体化区，所述沟道区设置在所述第一导体化区和所述第二导体化区之间，所述第一导体化区和所述第二导体化区的材料包括无定形硅，其中，

所述沟道区包括相对的第一边和第二边，所述第一边与所述第一导体化区的第三边相接触，所述第二边与所述第二导体化区的第四边相接触，且所述第一边的长度大于所述第三边的长度；

源极和漏极，所述源极和漏极分别通过过孔与所述第一导体化区和所述第二导体化区电连接。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一边的两端超出所述第三边的两端。

3.根据权利要求1或2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第二边的长度大于所述第四边的长度。

4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第二边的两端超出所述第四边的两端。

5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，包括：

衬底，所述有源层设置在所述衬底的上表面上；

栅极绝缘层，所述栅极绝缘层设置在所述沟道区的上表面上；

栅极，所述栅极设置在所述栅极绝缘层的上表面；

层间绝缘层，所述层间绝缘层设置在所述衬底的上表面上，且覆盖所述有源层、所述栅极绝缘层和所述栅极；所述源极和所述漏极设置在所述层间绝缘层的上表面上；

钝化层，所述钝化层设置在所述层间绝缘层的上表面上，且覆盖所述源极和所述漏极。

6.一种制作权利要求1-5中任一项所述的薄膜晶体管的方法，其特征在于，所述薄膜晶体管的有源层是通过以下步骤形成的：

通过第一构图工艺在衬底的上表面上形成半导体图案层；

通过第二构图工艺形成栅极绝缘层和栅极，所述栅极绝缘层设置在所述半导体图案层的上表面上，所述栅极设置在所述栅极绝缘层的上表面上；

形成源极和漏极，所述源极和漏极分别通过过孔与所述第一导体化区和所述第二导体化区电连接；

对未被所述栅极绝缘层覆盖的所述半导体图案层进行导体化处理。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述第二构图工艺包括：

在所述衬底的上表面上沉积覆盖所述半导体图案层的绝缘层；

在所述绝缘层的上表面上沉积导电层；

利用同一掩膜版对所述绝缘层和所述导电层进行图案化处理。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，还包括：

在所述衬底的上表面上沉积覆盖所述有源层、所述栅极绝缘层和所述栅极的层间绝缘层；

对所述层间绝缘层进行刻蚀，以形成第一过孔和第二过孔；

通过第三构图工艺在所述层间绝缘层的上表面上形成源极和漏极，所述源极和漏极分别通过所述第一过孔和所述第二过孔与所述第一导体化区和所述第二导体化区电连接；

在所述层间绝缘层的上表面上沉积覆盖所述源极和所述漏极的钝化层。

9.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括权利要求1-5中任一项所述的薄膜晶体管。

10.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括权利要求9所述的阵列基板。