[发明专利]基于建模仿真的SiP器件电源完整性评价方法和装置有效
| 申请号： | 201810839613.2 | 申请日： | 2018-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN109063318B | 公开（公告）日： | 2022-10-21 |
| 发明（设计）人： | 徐上九;王建国;王彤;祝名;张磊;张伟 | 申请（专利权）人： | 中国空间技术研究院 |
| 主分类号： | G06F30/398 | 分类号： | G06F30/398 |
| 代理公司： | 中国航天科技专利中心 11009 | 代理人： | 陈鹏 |
| 地址： | 100194 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于建模仿真的SiP器件电源完整性评价方法和装置，其中，该方法包括：获取SiP器件的设计参数和工艺参数，根据设计参数和工艺参数，确定SiP器件的三维模型；获取SiP器件需要仿真的电源参数，根据电源参数和三维模型，利用仿真软件对SiP器件进行直流压降分析仿真和Z参数仿真，并确定仿真结果；进而根据上述电源参数和仿真结果，对SiP器件的电源完整性进行评价。其中，上述SiP器件为航天器用SiP器件。本发明解决了相关技术中航天器用SiP器件只能通过管脚测试进行电源完整性评价，进而导致条件受限的技术问题。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 建模 仿真 sip 器件 电源 完整性 评价 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种基于建模仿真的SiP器件电源完整性评价方法，其特征在于，包括：获取所述SiP器件的设计参数和工艺参数，其中，所述SiP器件为航天器用SiP器件；根据所述设计参数和工艺参数，确定所述SiP器件的三维模型；获取所述SiP器件需要仿真的电源参数，根据所述电源参数和所述三维模型，利用仿真软件对所述SiP器件进行直流压降分析仿真和Z参数仿真，并确定仿真结果；根据所述电源参数和所述仿真结果，对所述SiP器件的电源完整性进行评价。
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