[发明专利]基于建模仿真的SiP器件电源完整性评价方法和装置

权利要求书

1.一种基于建模仿真的SiP器件电源完整性评价方法，其特征在于，包括：

获取所述SiP器件的设计参数和工艺参数，其中，所述SiP器件为航天器用SiP器件；

根据所述设计参数和工艺参数，确定所述SiP器件的三维模型；

获取所述SiP器件需要仿真的电源参数，根据所述电源参数和所述三维模型，利用仿真软件对所述SiP器件进行直流压降分析仿真和Z参数仿真，并确定仿真结果；

根据所述电源参数和所述仿真结果，对所述SiP器件的电源完整性进行评价。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述电源参数包括以下至少之一：电源值、直流压降判据、电流密度判据、输入阻抗判据。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，根据所述电源参数和所述仿真结果，对所述SiP器件的电源完整性进行评价包括：

根据所述直流压降分析仿真的仿真结果，对所述SiP器件的电流密度、直流压降是否满足要求进行评价，其中，在所述仿真结果中直流压降的最大值小于所述直流压降判据的情况下，确定直流压降评价结果合格，在所述仿真结果中电流密度的最大值小于所述电流密度判据的情况下，确定电流密度评价结果合格；

根据所述Z参数仿真的仿真结果，对所述SiP器件的输入阻抗进行评价，其中，在电源阻抗曲线中关注频段范围内输入阻抗的最大值小于所述输入阻抗判据的情况下，确定输入阻抗评价结果合格；

在所述直流压降评价结果、所述电流密度评价结果、及所述输入阻抗评价结果均合格的情况下，确定所述SiP器件的设计满足要求，所述电源完整性评价结果合格。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述仿真软件为Ansys SIwave。

5.一种基于建模仿真的SiP器件电源完整性评价装置，其特征在于，包括：

获取模块，用于获取所述SiP器件的设计参数和工艺参数，其中，所述SiP器件为航天器用SiP器件；

确定模块，用于根据所述设计参数和工艺参数，确定所述SiP器件的三维模型；

仿真模块，用于获取所述SiP器件需要仿真的电源参数，根据所述电源参数和所述三维模型，利用仿真软件对所述SiP器件进行直流压降分析仿真和Z参数仿真，并确定仿真结果；

评价模块，用于根据所述电源参数和所述仿真结果，对所述SiP器件的电源完整性进行评价。

6.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，所述电源参数包括以下至少之一：电源值、直流压降判据、电流密度判据、输入阻抗判据。

7.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，所述评价模块包括：

第一评价单元，用于根据所述直流压降分析仿真的仿真结果，对所述SiP器件的电流密度、直流压降是否满足要求进行评价，其中，在所述仿真结果中直流压降的最大值小于所述直流压降判据的情况下，确定直流压降评价结果合格，在所述仿真结果中电流密度的最大值小于所述电流密度判据的情况下，确定电流密度评价结果合格；

第二评价单元，用于根据所述Z参数仿真的仿真结果，对所述SiP器件的输入阻抗进行评价，其中，在电源阻抗曲线中关注频段范围内输入阻抗的最大值小于所述输入阻抗判据的情况下，确定输入阻抗评价结果合格；

确定单元，用于在所述直流压降评价结果、所述电流密度评价结果、及所述输入阻抗评价结果均合格的情况下，确定所述SiP器件的设计满足要求，所述电源完整性评价结果合格。

8.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，所述仿真软件为Ansys SIwave。

9.一种存储介质，其特征在于，所述存储介质包括存储的程序，其中，在所述程序运行时控制所述存储介质所在设备执行权利要求1到4所述的任意一项的基于建模仿真的SiP器件电源完整性评价方法。

10.一种处理器，其特征在于，所述处理器用于运行程序，其中，所述程序运行时执行权利要求1到4所述的任意一项的基于建模仿真的SiP器件电源完整性评价方法。