[发明专利]一种支架型射频瓷介电容器表面处理的方法在审
申请号: | 201810835836.1 | 申请日: | 2018-07-26 |
公开(公告)号: | CN109003817A | 公开(公告)日: | 2018-12-14 |
发明(设计)人: | 陈德庆;郝泳鑫 | 申请(专利权)人: | 大连达利凯普科技有限公司 |
主分类号: | H01G4/224 | 分类号: | H01G4/224;H01G13/00 |
代理公司: | 北京联瑞联丰知识产权代理事务所(普通合伙) 11411 | 代理人: | 苏友娟 |
地址: | 116600 辽宁省大连*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | 本发明公开了一种支架型射频瓷介电容器表面处理的方法,包括以下步骤:清洗;在第一温度的真空环境下干燥第一预定时长,所述第一预定时长不少于1h;取出电容器,将电容器从所述第一温度降温至第二温度以下;将电容器放入氟素表面处理剂中完全浸泡第二预定时长,所述第二预定时长不超过60s;取出电容器,将电容器在第三温度的环境下加热固化第三预定时长,以在电容器的表面得到厚度范围在5~10mm的薄膜涂层。本发明处理后的电容器表面涂层具有不影响电性能、良好的耐热性、防潮性等优点,可有效提高支架型射频瓷介电容器的抗放电飞弧能力。 | ||
搜索关键词: | 电容器 时长 瓷介电容器 射频 支架 取出 耐热性 表面处理剂 电容器表面 影响电性能 薄膜涂层 加热固化 真空环境 防潮性 放电 放入 飞弧 氟素 浸泡 清洗 | ||
【主权项】:
1.一种支架型射频瓷介电容器表面处理的方法,其特征在于,包括以下步骤:清洗;在第一温度的真空环境下干燥第一预定时长,所述第一预定时长不少于1h;取出电容器,将电容器从所述第一温度降温至第二温度以下;将电容器放入氟素表面处理剂中完全浸泡第二预定时长,所述第二预定时长不超过60s;取出电容器,将电容器在第三温度的环境下加热固化第三预定时长,以在电容器的表面得到厚度范围在5~10mm的薄膜涂层。
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