[发明专利]一种支架型射频瓷介电容器表面处理的方法在审

专利信息
申请号: 201810835836.1 申请日: 2018-07-26
公开(公告)号: CN109003817A 公开(公告)日: 2018-12-14
发明(设计)人: 陈德庆;郝泳鑫 申请(专利权)人: 大连达利凯普科技有限公司
主分类号: H01G4/224 分类号: H01G4/224;H01G13/00
代理公司: 北京联瑞联丰知识产权代理事务所(普通合伙) 11411 代理人: 苏友娟
地址: 116600 辽宁省大连*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要:
搜索关键词: 电容器 时长 瓷介电容器 射频 支架 取出 耐热性 表面处理剂 电容器表面 影响电性能 薄膜涂层 加热固化 真空环境 防潮性 放电 放入 飞弧 氟素 浸泡 清洗
【说明书】:

发明公开了一种支架型射频瓷介电容器表面处理的方法,包括以下步骤:清洗;在第一温度的真空环境下干燥第一预定时长,所述第一预定时长不少于1h;取出电容器,将电容器从所述第一温度降温至第二温度以下;将电容器放入氟素表面处理剂中完全浸泡第二预定时长,所述第二预定时长不超过60s;取出电容器,将电容器在第三温度的环境下加热固化第三预定时长,以在电容器的表面得到厚度范围在5~10mm的薄膜涂层。本发明处理后的电容器表面涂层具有不影响电性能、良好的耐热性、防潮性等优点,可有效提高支架型射频瓷介电容器的抗放电飞弧能力。

技术领域

本发明涉及电容器领域,特别涉及一种支架型射频瓷介电容器表面处理的方法。

背景技术

支架型射频瓷介电容器是采用一只或多只片式射频瓷介电容器组合,与不同结构的支架(金属引出线/带)焊接而制成。这种组合电容器具有高Q值、低ESR/ESL值、高工作电压、高RF功率等特点,主要运用在高射频功率放大器、高功率滤波网络、天线解调等领域。由于该类电容器长期使用在高电压、高功率的严酷条件下,在高温高湿状态下电容器瓷体表面如果受潮或污染,在电容器两个端电极之间易产生放电飞弧,造成电容器损坏。为解决这一技术问题,通常采用二种措施:一是增大电容器的尺寸,通过加长电容两个端电极间的距离来控制放电飞弧;二是在电容器表面涂覆聚氨酯、醇酸类敷型涂层来保护提高电容器的防潮性及抗电强度。这两个措施存在以下不足:加大电容器尺寸需增加成本,同时在部分电路中受限于安装尺寸而无法实现;而添加敷型涂层往往会加大电容器的ESR值同时影响散热,多只电容器间隙之间不易涂覆,同时需控制涂层面不能影响电容器在使用时的焊接安装。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种支架型射频瓷介电容器表面处理的方法,以提高支架型射频瓷介电容器的防潮性及抗放电飞弧能力。

为了解决上述技术问题,本发明的技术方案为:

一种支架型射频瓷介电容器表面处理的方法,包括以下步骤:

清洗;

在第一温度的真空环境下干燥第一预定时长,所述第一预定时长不少于1h;

取出电容器,将电容器从所述第一温度降温至第二温度以下;

将电容器放入氟素表面处理剂中完全浸泡第二预定时长,所述第二预定时长不超过60s;

取出电容器,将电容器在第三温度的环境下加热固化第三预定时长,以在电容器的表面得到厚度范围在5~10mm的薄膜涂层。

优选的,所述第一温度的范围是120±5℃。

优选的,所述第一预定时长的范围是1.5~2h。

优选的,所述第二温度是40℃。

优选的,所述第二预定时长的范围是30~60s。

优选的,所述第三温度是120~150℃。

优选的,所述第三预定时长是30min。

优选的,所述真空环境是真空度为-0.09MPa的真空干燥箱。

与现有技术相比,本发明的有益效果在于:选取了一种具有良好防潮性、高抗电强度的氟素表面处理剂通过浸泡加热的方式在支架型射频多层瓷介电容器瓷体表面形成目测不可见的涂层。本发明的方法所形成的表面涂层具有操作简单、涂层不影响电容器的电性能、支架的可焊性、良好的耐热性、防潮性等优点,可有效提高支架型射频瓷介电容器的抗放电飞弧能力。

附图说明

后文将参照附图以示例性而非限制性的方式详细描述本发明的一些具体实施例。附图中相同的附图标记标示了相同或类似的部件或部分。本领域技术人员应该理解,这些附图未必是按比例绘制的。附图中:

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