[发明专利]一种深槽半超结结构功率器件及制造方法有效
| 申请号： | 201810831275.8 | 申请日： | 2018-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN109192777B | 公开（公告）日： | 2021-07-20 |
| 发明（设计）人： | 沈克强;张乐;景润东 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 田凌涛 |
| 地址： | 210000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种深槽半超结结构功率器件及制造方法，基于半超结改进结构的深槽半超结结构，与传统半超结结构相比，没有底部的电压支持层，而是在超结结构与源区之间通过体电压支持层产生半超结效应，同时沟槽栅较深，且贯穿整个体电压支持层，能够在半超结结构基础上，进一步降低导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 深槽半超结 结构 功率 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
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