[发明专利]一种MOS晶体管开关、其制备方法和包含其的电子装置在审
| 申请号： | 201810822228.7 | 申请日： | 2018-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN109065454A | 公开（公告）日： | 2018-12-21 |
| 发明（设计）人： | 吴冬冬 | 申请（专利权）人： | 七色堇电子科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海知义律师事务所 31304 | 代理人： | 杨楠 |
| 地址： | 201400 上海市奉贤区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种MOS晶体管开关，制备在衬底上，衬底的外延层内设有第一沟槽和第二沟槽，第二沟槽宽度大于第一沟槽，第一沟槽内填充有第一栅极和第二栅极，第一栅极和第二栅极通过栅极层间介质层分开，第二沟槽内填充有第一栅极，第一栅极金属从第二沟槽中的第一栅极中引出。通过设置宽度不同的沟槽，使得第一栅极金属宽度大的第二沟槽的第一栅极中引出，能简化器件的制备流程。本发明还公开了一种MOS晶体管开关的制备方法和包含该MOS晶体管开关的电子装置。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 电子装置 栅极金属 衬底 填充 介质层 外延层 栅极层 | ||
【主权项】：
1.一种MOS晶体管开关，制备在衬底上，其特征在于，所述衬底上设有第一沟槽和第二沟槽，所述第二沟槽宽度大于所述第一沟槽，所述第一沟槽内填充有第一栅极和第二栅极，所述第一栅极和所述第二栅极通过栅极层间介质层分开，所述第二沟槽内填充有第一栅极，所述第一栅极金属从所述第二沟槽中的第一栅极中引出。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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