[发明专利]一种MOS晶体管开关、其制备方法和包含其的电子装置

权利要求书

1.一种MOS晶体管开关，制备在衬底上，其特征在于，所述衬底上设有第一沟槽和第二沟槽，所述第二沟槽宽度大于所述第一沟槽，所述第一沟槽内填充有第一栅极和第二栅极，所述第一栅极和所述第二栅极通过栅极层间介质层分开，所述第二沟槽内填充有第一栅极，所述第一栅极金属从所述第二沟槽中的第一栅极中引出。

2.如权利要求1所述的MOS晶体管开关，其特征在于：所述第二沟槽的宽度为1.5-2.5微米之间，所述第一沟槽的宽度为0.5-1微米之间。

3.如权利要求1所述的MOS晶体管开关，其特征在于：所述MOS晶体管开关包括元胞区域和终端区域，所述第二沟槽位于所述元胞区域。

4.一种MOS晶体管开关的制备方法，其特征在于，包括：

提供一衬底，在所述衬底正面上生长一外延层，所述外延层上包括预定的终端区域和元胞区域；

在所述外延层上形成第一沟槽和第二沟槽，且所述第二沟槽的宽度大于所述第一沟槽；

在所述第一沟槽内形成有第一栅极和第二栅极，以及隔离所述第一栅极和第二栅极的栅氧绝缘层，在第二沟槽内形成第一栅极；

在所述外延层中形成体区、阱区；

在所述衬底正面形成源极金属、第一栅极金属和第二栅极金属，所述第一栅极金属从所述第二沟槽的第一栅极中引出；

在所述衬底背面形成漏极金属。

5.如权利要求4所述的MOS晶体管开关的制备方法，其特征在于：在所述第一沟槽内形成第一栅极和第二栅极，以及隔离所述第一栅极和第二栅极的栅极绝缘层，在第二沟槽内形成第一栅极，具体为：

在所述第一沟槽和第二沟槽内壁形成第一层间介质层；

第一次沉积栅极材料至填满所述第一沟槽和第二沟槽；

回刻所述栅极材料至所述第一沟槽和第二沟槽内，形成第一栅极；

在所述第一栅极表面形成第二层间介质层，作为所述栅极绝缘层；

第二次沉积栅极材料至填满所述第一沟槽和部分所述第二沟槽，回刻去除衬底表面的栅极材料，在第一沟槽内形成第二栅极，在所述第二沟槽内有一露出所述第二层间介质层的缺口。

6.如权利要求4所述的MOS晶体管开关的制备方法，其特征在于：在所述衬底正面形成源极金属、第一栅极金属和第二栅极金属，具体为：

在阱区注入完成后，在衬底正面沉积层间介质层，所述层间介质层填充所述第二沟槽的缺口；

在所述层间介质层里形成源极金属接触孔、第一栅极金属接触孔和第二栅极金属接触孔，所述第一栅极金属接触孔设置在所述第二沟槽内；

沉积接触金属在所述源极金属接触孔、第一栅极金属接触孔和第二栅极金属接触孔内，形成源极金属、第一栅极金属和第二栅极金属。

7.如权利要求4所述的MOS晶体管开关的制备方法，其特征在于：所述第二沟槽位于所述MOS晶体管开关的元胞区域。

8.一种电子装置，其特征在于，包括如权利要求1至3所述的MOS晶体管开关。