[发明专利]二维材料CaGeTe甲基化制备高性能材料的方法在审

专利信息
申请号: 201810821805.0 申请日: 2018-07-24
公开(公告)号: CN110746452A 公开(公告)日: 2020-02-04
发明(设计)人: 封伟;张鑫;赵付来;王宇;冯奕钰;李瑀 申请(专利权)人: 天津大学
主分类号: C07F7/30 分类号: C07F7/30
代理公司: 12214 天津创智天诚知识产权代理事务所(普通合伙) 代理人: 王秀奎
地址: 300072*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 发明公开二维材料CaGeTe甲基化制备高性能材料的方法,在CVD管式炉中程序控温,烧结得到CaGeTe前驱体,依次用甲苯和乙醇多次冲洗,干燥后在三口烧瓶中加入磁力搅拌子,去离子水,乙腈,CaGeTe前驱体以及碘甲烷,保证转子持续转动,密封避光反应得到GeTe‑CH
搜索关键词: 二维材料 甲基化 前驱体 乙醇 浴缸 层状半导体 磁力搅拌子 制备高性能 转子 避光反应 超声处理 程序控温 持续转动 光电器件 光学带隙 胶带密封 去离子水 三口烧瓶 液体过热 烧结 碘甲烷 光催化 甲苯 二维 瓶口 水冷 小瓶 乙腈 冲洗 密封 应用 保证
【主权项】:
1.二维材料CaGeTe甲基化制备高性能材料的方法,其特征在于,按照下述步骤进行:/n步骤1,按照Ca、Ge、Te的摩尔比1:1:(1—1.2)称取三种金属Ca、Ge、Te并混合均匀,在300—400min内由室温20—25摄氏度匀速升温至1000—1200摄氏度保温1000—1500min后,再用时1000—1200min降温至800—900摄氏度,最后以0.1—0.5℃/min缓慢降至室温20—25摄氏度,得到CaGeTe前驱体;/n步骤2,在反应容器中加入去离子水、乙腈、CaGeTe前驱体和碘甲烷,密封后避光在室温20—25摄氏度且搅拌条件下进行反应,得到GeTe-CH
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