[发明专利]二维材料CaGeTe甲基化制备高性能材料的方法

权利要求书

1.二维材料CaGeTe甲基化制备高性能材料的方法，其特征在于，按照下述步骤进行：

步骤1，按照Ca、Ge、Te的摩尔比1：1：(1—1.2)称取三种金属Ca、Ge、Te并混合均匀，在300—400min内由室温20—25摄氏度匀速升温至1000—1200摄氏度保温1000—1500min后，再用时1000—1200min降温至800—900摄氏度，最后以0.1—0.5℃/min缓慢降至室温20—25摄氏度，得到CaGeTe前驱体；

步骤2，在反应容器中加入去离子水、乙腈、CaGeTe前驱体和碘甲烷，密封后避光在室温20—25摄氏度且搅拌条件下进行反应，得到GeTe-CH₃，去离子水用量为10—20体积份，每一体积份为1ml；乙腈用量为1—5体积份，每一体积份为1ml；碘甲烷用量为1—5体积份，每一体积份为1ml；CaGeTe前驱体用量为50—100质量份，每一质量份为1mg；

步骤3，将GeTe-CH₃分散于装有乙醇的反应容器中，以Teflon胶带密封瓶口超声处理并维持体系温度20—25摄氏度，离心分离即可得到二维层状半导体材料GeTe-CH₃。

2.根据权利要求1所述的二维材料CaGeTe甲基化制备高性能材料的方法，其特征在于，在步骤1中，在称取三种金属时原则为三者等摩尔比，选择Te略过量，以保证反应物中无多余的Ca和Ge。

3.根据权利要求1所述的二维材料CaGeTe甲基化制备高性能材料的方法，其特征在于，在步骤1中，选择CVD管式炉进行程序温控，在350—400min内由室温20—25摄氏度匀速升温至1050—1100摄氏度保温1200—1500min后，再用时1100—1200min降温至800—850摄氏度，最后以0.1—0.5℃/min缓慢降至室温20—25摄氏度。

4.根据权利要求1所述的二维材料CaGeTe甲基化制备高性能材料的方法，其特征在于，在步骤2中，去离子水用量为15—20体积份，每一体积份为1ml；乙腈用量为1—3体积份，每一体积份为1ml；碘甲烷用量为3—5体积份，每一体积份为1ml；CaGeTe前驱体用量为60—80质量份，每一质量份为1mg。

5.根据权利要求1所述的二维材料CaGeTe甲基化制备高性能材料的方法，其特征在于，在步骤2中，采用超声进行搅拌，每分钟转速为100—500转，反应时间为50—220小时，优选100—200小时。

6.根据权利要求1所述的二维材料CaGeTe甲基化制备高性能材料的方法，其特征在于，在步骤3中，在溶液法超声剥离后离心得到GeTe-OH层状材料，离心速率为3000～5000rmp。

7.根据权利要求1所述的二维材料CaGeTe甲基化制备高性能材料的方法，其特征在于，在步骤3中，超声处理1—5小时，优选2—4小时。

8.根据权利要求1所述的二维材料CaGeTe甲基化制备高性能材料的方法，其特征在于，在步骤3中，使用水冷以使体系维持温度20±0.5摄氏度。