[发明专利]半导体器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201810818513.1 | 申请日： | 2018-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN109427807B | 公开（公告）日： | 2023-09-12 |
| 发明（设计）人： | 李根;李正吉;金度亨;尹基炫;林炫锡 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H10B41/27 | 分类号： | H10B41/27 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 赵南;张帆 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供半导体器件及其形成方法。该半导体器件可以包括：多个栅电极，其层叠在衬底上并且在垂直方向上彼此间隔开；以及沟道区域，其在所述垂直方向上延伸穿过所述多个栅电极。所述多个栅电极中的每一个可以包括：第一导电层，其限定朝向所述沟道区域凹入的凹陷；以及第二导电层，其位于由所述第一导电层限定的所述凹陷中。第二导电层中的杂质的第一浓度可以高于第一导电层中的杂质的第二浓度，并且所述杂质可以包括氮(N)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：多个栅电极，其层叠在衬底上并且在垂直方向上彼此间隔开；以及沟道区域，其在所述垂直方向上延伸穿过所述多个栅电极，其中，所述多个栅电极中的每一个包括：第一导电层，其限定朝向所述沟道区域凹入的凹陷；以及第二导电层，其位于由所述第一导电层限定的所述凹陷中，并且其中，所述第二导电层中的杂质的第一浓度高于所述第一导电层中的杂质的第二浓度，并且所述杂质包括氮(N)。
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