[发明专利]一种多晶硅还原炉及其使用方法

摘要

本发明公开了一种多晶硅还原炉及其使用方法，包括炉体、底盘、电极、石墨卡槽、硅棒、感应线圈，炉体与底盘固定连接构成一个中空的钟罩式腔室；炉壁和底盘为双层结构，底盘和炉壁的夹层之间均设有冷却水通道，炉壁的底部对应设有冷却水入口，顶部有冷却水出口，底盘的一侧设有冷却水入口另一侧设有冷却水出口；本发明提出的通过交流电使感应线圈产生感应电流从而加热硅棒，可以使硅棒上温度梯度减小，可增大硅棒的最大沉积半径；本发明内部结构布局合理，单台还原炉的产量比现有的还原炉提高很多，使多晶硅的综合能耗和生产成本也相应降低。

主权项

1.一种多晶硅还原炉，其特征在于：包括炉体（1）、底盘（2）、电极（9）、石墨卡槽（11）、硅棒（12）、感应线圈（10），炉体（1）与底盘（2）固定连接构成一个中空的钟罩式腔室；炉壁和底盘（2）为双层结构，底盘（2）和炉壁的夹层之间均设有冷却水通道（3），炉壁的底部对应设有冷却水入口（14），顶部有冷却水出口（15），底盘（2）的一侧设有冷却水入口（14）另一侧设有冷却水出口（15）；炉体（1）内部设有多对硅棒（12），每对硅棒（12）分别连接起来形成“U”型，多对硅棒（12）对应的电极（9）之间相互串联后与电源（8）的正负极连接，构成一个循环；底盘（2）上设有多个石墨卡槽（11），石墨卡槽（11）用于固定硅棒（12），电极（9）的一端在石墨卡槽（11）内与硅棒（12）连接，另一端伸出底盘（2）；底盘（2）上设有一个以上的进气口（5）和一个以上的出气口（6）；感应线圈（10）与交流电源（7）相连；且每根硅棒（12）外面都对应设有一个感应线圈（10），感应线圈（10）的内径大于硅棒的最大生长尺寸（13）；感应线圈（10）为中空结构，中间可以通冷却水。