[发明专利]一种光敏电容及其制作方法在审
| 申请号： | 201810813455.3 | 申请日： | 2018-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN109192810A | 公开（公告）日： | 2019-01-11 |
| 发明（设计）人： | 潘志强;金健飞 | 申请（专利权）人： | 北京天创金农科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/08;G01J1/42 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 王莹;李相雨 |
| 地址： | 100024 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种光敏电容及其制作方法。光敏电容包括：衬底、注入层、氧化隔离层、第一电容和第二电容；在衬底的一侧设置注入层并在注入层上覆盖氧化隔离层；第一电容的一个极板设置在氧化隔离层上，且通过氧化隔离层与注入层电连接；第二电容的一个极板设置在氧化隔离层上；第一电容的两个极板之间填充的电介质与第二电容的两个极板之间填充的电介质相同。本发明提供的光敏电容具有高阻抗、小功率和动态响应快的优点，并且结构简单，性能可靠，稳定性好，可长时间在恶劣环境中应用；采用半导体工艺和金属薄膜工艺，降低光敏电容尺寸小，易于实现批量生产，成本低，还能提高测量的准确性。 | ||
| 搜索关键词： | 电容 氧化隔离层 光敏电容 注入层 极板 电介质 衬底 填充 金属薄膜工艺 半导体工艺 动态响应 恶劣环境 电连接 高阻抗 小功率 制作 测量 覆盖 应用 生产 | ||
【主权项】：
1.一种光敏电容，其特征在于，包括：衬底、注入层、氧化隔离层、第一电容和第二电容；在衬底的一侧设置注入层并在注入层上覆盖氧化隔离层；第一电容的一个极板设置在氧化隔离层上，且通过氧化隔离层与注入层电连接；第二电容的一个极板设置在氧化隔离层上；第一电容的两个极板之间填充的电介质与第二电容的两个极板之间填充的电介质相同。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京天创金农科技有限公司，未经北京天创金农科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810813455.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
