[发明专利]一种光敏电容及其制作方法

权利要求书

1.一种光敏电容，其特征在于，包括：衬底、注入层、氧化隔离层、第一电容和第二电容；

在衬底的一侧设置注入层并在注入层上覆盖氧化隔离层；

第一电容的一个极板设置在氧化隔离层上，且通过氧化隔离层与注入层电连接；

第二电容的一个极板设置在氧化隔离层上；

第一电容的两个极板之间填充的电介质与第二电容的两个极板之间填充的电介质由同一层电介质构成。

2.根据权利要求1所述的光敏电容，其特征在于，还包括：管壳；所述管壳上设有引脚，所述引脚通过引线与第一电容或第二电容的极板电连接。

3.根据权利要求2所述的光敏电容，其特征在于，所述引脚有4个，4个引脚通过引线分别与第一电容的两个极板以及第二电容的两个极板电连接。

4.根据权利要求1所述的光敏电容，其特征在于，所述衬底为N型单晶硅。

5.根据权利要求4所述的光敏电容，其特征在于，在N型单晶硅的一侧注入硼离子形成注入层。

6.根据权利要求1所述的光敏电容，其特征在于，所述第一电容与所述第二电容的规格尺寸相同。

7.一种基于权利要求1-6任一项所述光敏电容的制作方法，其特征在于，包括：

将单晶硅片进行热氧化处理，以使单晶硅表面形成二氧化硅绝缘层；

对热氧化处理过的单晶硅片上涂盖光刻胶，并通过光刻机在单晶硅片光刻出离子注入区域；

在离子注入区域注入硼离子后，对单晶硅片进行退火氧化处理并在单晶硅片表面形成氧化隔离层；

在离子注入区上进行光刻，光刻出穿过氧化隔离层的通孔；

在单晶硅片上沉积第一金属层，采用光刻将沉积的第一金属层刻蚀成电容的下极板；

在电极的基片上沉积一层绝缘介质层；

在绝缘介质层上沉积第二金属层，通过光刻将沉积的第二金属层刻蚀成电容的上极板，形成光敏电容。

8.根据权利要求7所述的光敏电容的制作方法，其特征在于，所述第一金属层为：金属铝层或硅铝合金层。

9.根据权利要求7所述的光敏电容的制作方法，其特征在于，所述第二金属层为：金属铝层或金属金层。

10.根据权利要求7所述的光敏电容的制作方法，其特征在于，所述绝缘介质层为：二氧化硅层或氮化硅层。