[发明专利]三维存储器、MOS场效应晶体管及其制作方法有效
| 申请号： | 201810811406.6 | 申请日： | 2018-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN108922921B | 公开（公告）日： | 2020-06-19 |
| 发明（设计）人： | 汪宗武;江宁;田武 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/49 | 分类号： | H01L29/49;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 骆希聪 |
| 地址： | 430205 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种三维存储器、MOS场效应晶体管及其制作方法，该晶体管包括：半导体衬底；位于半导体衬底上的栅绝缘层；位于所述栅绝缘层上的栅电极，所述栅电极包括位于所述栅绝缘层上的俘获层，其中所述俘获层包括碳硅化合物或者碳锗硅化合物。本发明提供了一种MOS场效应晶体管及其制作方法，栅电极中靠近栅绝缘层的一侧加入了俘获层，并且俘获层的材料为碳硅化合物或者碳锗硅化合物，使得稳态时俘获层中的硼浓度大于阻挡层和金属硅化物层中的硼浓度，并且阻挡层中的硼浓度和金属硅化物层中的硼浓度差距在减小，可以有效降低硼分凝系数，进而解决栅极耗尽的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 存储器 mos 场效应 晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种MOS场效应晶体管，包括：半导体衬底；位于半导体衬底上的栅绝缘层；位于所述栅绝缘层上的栅电极，所述栅电极包括位于所述栅绝缘层上的俘获层，其中所述俘获层包括碳硅化合物或者碳锗硅化合物。
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