[发明专利]三维存储器、MOS场效应晶体管及其制作方法有效
| 申请号： | 201810811406.6 | 申请日： | 2018-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN108922921B | 公开（公告）日： | 2020-06-19 |
| 发明（设计）人： | 汪宗武;江宁;田武 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/49 | 分类号： | H01L29/49;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 骆希聪 |
| 地址： | 430205 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 三维 存储器 mos 场效应 晶体管 及其 制作方法 | ||
1.一种MOS场效应晶体管，包括：
半导体衬底；
位于半导体衬底上的栅绝缘层；
位于所述栅绝缘层上的栅电极，所述栅电极包括位于所述栅绝缘层上的俘获层，以及依次位于所述俘获层上的阻挡层和金属硅化物层，其中
所述俘获层包括碳硅化合物，所述俘获层、阻挡层和金属硅化物层内掺杂有硼，所述俘获层的硼浓度大于所述阻挡层内的硼浓度；或者
所述俘获层包括碳锗硅化合物。
2.如权利要求1所述的MOS场效应晶体管，其特征在于，所述俘获层的厚度为10-100nm。
3.如权利要求1或2所述的MOS场效应晶体管，其特征在于，所述阻挡层的厚度为100-200nm。
4.如权利要求1所述的MOS场效应晶体管，其特征在于，所述碳锗硅化合物的化学式为Si1-x-yGexCy，其中0.2≤x≤0.25，0.5％≤y≤1.2％。
5.如权利要求1所述的MOS场效应晶体管，其特征在于，所述碳硅化合物的化学式为Si1-xCx，其中0.5％≤x≤1.2％。
6.如权利要求1或5所述的MOS场效应晶体管，其特征在于，所述阻挡层的材料为多晶硅；以及/或者所述金属硅化物层的材料为硅化钨。
7.如权利要求1所述的MOS场效应晶体管，其特征在于，还包括位于所述栅电极两侧衬底中的源区和漏区。
8.如权利要求1所述的MOS场效应晶体管，其特征在于，所述MOS场效应晶体管为PMOS管。
9.一种三维存储器，所述三维存储器中设置有如权利要求1-8任一项所述的MOS场效应晶体管。
10.一种MOS场效应晶体管的制作方法，包括以下步骤：
提供半导体衬底；
在所述半导体衬底上形成栅绝缘层；
在所述栅绝缘层上形成栅电极，包括在所述栅绝缘层上依次形成俘获层、位于所述俘获层上的阻挡层以及位于所述阻挡层上的金属硅化物层，其中，
所述俘获层包括碳硅化合物，在所述栅绝缘层上形成俘获层的步骤包括在所述俘获层中掺杂硼，且在稳态时所述俘获层的硼浓度大于所述阻挡层内的硼浓度；
所述俘获层包括碳锗硅化合物。
11.如权利要求10所述的MOS场效应晶体管的制作方法，其特征在于，所述俘获层的厚度为10-100nm。
12.如权利要求10或11所述的MOS场效应晶体管的制作方法，其特征在于，所述阻挡层的厚度为100-200nm。
13.如权利要求12所述的MOS场效应晶体管的制作方法，其特征在于，所述碳锗硅化合物的化学式为Si1-x-yGexCy，其中0.2≤x≤0.25，0.5％≤y≤1.2％。
14.如权利要求10所述的MOS场效应晶体管的制作方法，其特征在于，所述碳硅化合物的化学式为Si1-xCx，其中0.5％≤x≤1.2％。
15.如权利要求10或14所述的MOS场效应晶体管的制作方法，其特征在于，所述阻挡层的材料为多晶硅；以及/或者所述金属硅化物层的材料为硅化钨。
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