[发明专利]低压高速擦写的柔性有机非易失性存储器件及其制备方法有效
申请号: | 201810811310.X | 申请日: | 2018-07-23 |
公开(公告)号: | CN109192750B | 公开(公告)日: | 2021-06-22 |
发明(设计)人: | 陆旭兵;何惠欣;何宛兒 | 申请(专利权)人: | 华南师范大学 |
主分类号: | H01L27/28 | 分类号: | H01L27/28 |
代理公司: | 广州骏思知识产权代理有限公司 44425 | 代理人: | 吴静芝 |
地址: | 510006 广东省广州市番禺区外*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明提供一种低压高速擦写的柔性有机非易失性存储器件及其制备方法,该存储器件包括衬底和在衬底上依次层叠的底电极、绝缘层、存储层、有源层和源漏电极,所述存储层为聚α‑甲基苯乙烯。本发明利用聚α‑甲基苯乙烯有机聚合物作为存储层,由于聚α‑甲基苯乙烯具有很高的表面光滑度和良好的存储效应,能够为有源层生长提供良好的基础,从而提高有源层的载流子迁移率,有效提高存储器件的保持和抗疲劳性能,实现低压高速擦写。 | ||
搜索关键词: | 低压 高速 擦写 柔性 有机 非易失性存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种低压高速擦写的柔性有机非易失性存储器件,其特征在于:包括衬底和在衬底上依次层叠的底电极、绝缘层、存储层、有源层和源漏电极,所述存储层为聚α‑甲基苯乙烯。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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