[发明专利]低压高速擦写的柔性有机非易失性存储器件及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201810811310.X 申请日: 2018-07-23
公开(公告)号: CN109192750B 公开(公告)日: 2021-06-22
发明(设计)人: 陆旭兵;何惠欣;何宛兒 申请(专利权)人: 华南师范大学
主分类号: H01L27/28 分类号: H01L27/28
代理公司: 广州骏思知识产权代理有限公司 44425 代理人: 吴静芝
地址: 510006 广东省广州市番禺区外*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明提供一种低压高速擦写的柔性有机非易失性存储器件及其制备方法,该存储器件包括衬底和在衬底上依次层叠的底电极、绝缘层、存储层、有源层和源漏电极,所述存储层为聚α‑甲基苯乙烯。本发明利用聚α‑甲基苯乙烯有机聚合物作为存储层,由于聚α‑甲基苯乙烯具有很高的表面光滑度和良好的存储效应,能够为有源层生长提供良好的基础,从而提高有源层的载流子迁移率,有效提高存储器件的保持和抗疲劳性能,实现低压高速擦写。
搜索关键词: 低压 高速 擦写 柔性 有机 非易失性存储器 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种低压高速擦写的柔性有机非易失性存储器件,其特征在于:包括衬底和在衬底上依次层叠的底电极、绝缘层、存储层、有源层和源漏电极,所述存储层为聚α‑甲基苯乙烯。
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