[发明专利]低压高速擦写的柔性有机非易失性存储器件及其制备方法

权利要求书

1.一种低压高速擦写的柔性有机非易失性存储器件的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

S1：在衬底上沉积底电极，所述衬底为柔性白云母，厚度为1-10μm；所述底电极的沉积方法为，采用热蒸发法以0.01-0.03nm/s的速度沉积10-20nm的金层作为底电极；

S2：制备氧化铝绝缘层：通过原子层沉积技术在底电极表面沉积氧化铝薄膜，然后依次进行退火处理和UV/O₃表面活化处理，制得氧化铝绝缘层；该原子层沉积技术以臭氧和三甲基铝为反应前驱体，其中臭氧的脉冲时间为0.3-0.7s，三甲基铝的脉冲时间为0.01-0.03s，等待时间为8-15s，三甲基铝和臭氧的脉冲总循环数为80-360次，衬底温度为80-300℃；所述退火处理在通氧的条件下进行，氧气流量为1.5-2L/min，处理温度为80-400℃，处理时间为10-60min；所述UV/O₃表面活化处理条件为将样品在距离紫外灯10-40cm处使用波长为185-245nm的紫外光照射1-10min；

S3：制备存储层：在氧化铝绝缘层表面旋涂聚α-甲基苯乙烯溶液成膜，进行退火处理后制得聚α-甲基苯乙烯薄膜作为存储层；所述聚α-甲基苯乙烯溶液以甲苯为溶剂，聚α-甲基苯乙烯的质量浓度为0.05％-0.5％；所述退火处理温度为40-150℃；

S4：制备有源层：在聚α-甲基苯乙烯薄膜上沉积并五苯作为有源层；所述并五苯的沉积厚度为30-50nm，沉积速率为0.01-0.05nm/s，沉积时的衬底温度为50-120℃；

S5：制备源漏电极：在并五苯上沉积金属作为源漏电极。