[发明专利]一种在绝缘衬底上直接制备石墨烯的方法有效
| 申请号： | 201810804283.3 | 申请日： | 2018-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN109055896B | 公开（公告）日： | 2021-08-20 |
| 发明（设计）人： | 狄增峰;郑鹏荣;董林玺;薛忠营 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | C23C14/18 | 分类号： | C23C14/18;C23C14/30;C23C14/35;C23C14/48;C23C14/58;C23C16/26;C23C28/00 |
| 代理公司： | 上海泰能知识产权代理事务所(普通合伙) 31233 | 代理人： | 黄志达 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种在绝缘衬底上直接制备石墨烯的方法，所述制备方法包括：步骤1)提供一绝缘衬底；步骤2)于所述绝缘衬底的上表面由下至上依次形成锗层和石墨烯层；以及步骤3)对步骤2)所得结构中的所述锗层进行氧化挥发处理，以去除所述锗层，实现于所述绝缘衬底上直接形成石墨烯层。通过本发明提供的一种在绝缘衬底上直接制备石墨烯的方法，解决了现有采用转移法和催化生长法制备绝缘衬底上石墨烯时存在的诸多问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 绝缘 衬底 直接 制备 石墨 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在绝缘衬底上直接制备石墨烯的方法，其特征在于，所述制备方法包括：步骤1)提供一绝缘衬底；步骤2)于所述绝缘衬底的上表面由下至上依次形成锗层和石墨烯层；步骤3)对步骤2)所得结构中的所述锗层进行氧化挥发处理，以去除所述锗层，实现于所述绝缘衬底上直接形成石墨烯层。
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