[发明专利]图形化衬底的方法在审
申请号: | 201810803885.7 | 申请日: | 2018-07-20 |
公开(公告)号: | CN108919614A | 公开(公告)日: | 2018-11-30 |
发明(设计)人: | 徐平;冯磊 | 申请(专利权)人: | 湘能华磊光电股份有限公司 |
主分类号: | G03F7/30 | 分类号: | G03F7/30 |
代理公司: | 北京晟睿智杰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11603 | 代理人: | 于淼 |
地址: | 423038 湖南省郴*** | 国省代码: | 湖南;43 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种图形化衬底的方法,包括:在衬底的表面形成2.0~2.7μm厚的光刻掩膜;通过曝光机和光刻版对光刻掩膜进行曝光处理;将曝光处理后的衬底送入显影设备,对衬底表面喷淋负性显影液,然后使用有机冲洗剂冲洗衬底表面,旋干后送至热板烘烤,得到一次显影后的衬底;将一次显影后的衬底继续送入显影设备,对衬底表面喷淋负性显影液,然后使用有机冲洗剂冲洗衬底表面,旋干后送至热板烘烤,得到二次显影后的衬底。通过采用负性显影液进行两次显影,光刻图形的显影质量更好,能够有效提高光刻图形的分辨率,确保光刻图形尺寸的一致性,提高衬底图形化后的出光效率。 | ||
搜索关键词: | 衬底 衬底表面 光刻图形 图形化 显影液 负性 显影 有机冲洗剂 曝光处理 显影设备 一次显影 烘烤 喷淋 热板 冲洗 送入 表面形成 出光效率 光刻掩膜 光刻版 曝光机 分辨率 掩膜 | ||
【主权项】:
1.一种图形化衬底的方法,其特征在于,包括:在衬底的表面形成2.0~2.7μm厚的光刻掩膜;通过曝光机和光刻版对光刻掩膜进行曝光处理;将曝光处理后的衬底送入显影设备,对衬底表面喷淋负性显影液,然后使用有机冲洗剂冲洗衬底表面,旋干后送至热板烘烤,得到一次显影后的衬底;其中,所述负性显影液在衬底表面的保留时间T1=30~40s;所述有机冲洗剂的冲洗时间M1=20~30s;所述热板的烘烤温度D1=100~110℃,烘烤时间N1=40~60s;将一次显影后的衬底继续送入显影设备,对衬底表面喷淋负性显影液,然后使用有机冲洗剂冲洗衬底表面,旋干后送至热板烘烤,得到二次显影后的衬底;其中,所述负性显影液在衬底表面的保留时间T2=1.2T1;所述有机冲洗剂的冲洗时间M2=0.9M1;所述热板的烘烤温度D2=1.1D1,烘烤时间N2=0.8N1。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于湘能华磊光电股份有限公司,未经湘能华磊光电股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201810803885.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种变焦曝光方法
- 下一篇:一种显影装置及利于该装置的显影液循环系统