[发明专利]图形化衬底的方法

权利要求书

1.一种图形化衬底的方法，其特征在于，包括：

在衬底的表面形成2.0～2.7μm厚的光刻掩膜；

通过曝光机和光刻版对光刻掩膜进行曝光处理；

将曝光处理后的衬底送入显影设备，对衬底表面喷淋负性显影液，然后使用有机冲洗剂冲洗衬底表面，旋干后送至热板烘烤，得到一次显影后的衬底；其中，所述负性显影液在衬底表面的保留时间T1＝30～40s；所述有机冲洗剂的冲洗时间M1＝20～30s；所述热板的烘烤温度D1＝100～110℃，烘烤时间N1＝40～60s；

将一次显影后的衬底继续送入显影设备，对衬底表面喷淋负性显影液，然后使用有机冲洗剂冲洗衬底表面，旋干后送至热板烘烤，得到二次显影后的衬底；其中，所述负性显影液在衬底表面的保留时间T2＝1.2T1；所述有机冲洗剂的冲洗时间M2＝0.9M1；所述热板的烘烤温度D2＝1.1D1，烘烤时间N2＝0.8N1。

2.根据权利要求1所述的图形化衬底的方法，其特征在于，

所述负性显影液包括乙醇、二甲苯和表面活性剂，其中，乙醇的质量占比为15～20％，二甲苯的质量占比为22～26％，表面活性剂的质量占比为3～6％。

3.根据权利要求2所述的图形化衬底的方法，其特征在于，

所述表面活性剂为聚乙二醇、十二烷基硫酸钠、十八烷基硫酸钠中的至少一者。

4.根据权利要求1所述的图形化衬底的方法，其特征在于，

所述有机冲洗剂为碳酸二甲酯、无水乙醇中的至少一者。

5.根据权利要求1所述的图形化衬底的方法，其特征在于，

所述在衬底的表面形成2.0～2.7μm厚的光刻掩膜的步骤，具体为：

将正性光刻胶均匀涂布在衬底的表面，然后将衬底送至热板烘烤，烘烤温度为90～110℃，烘烤时间为60～120s，再将衬底送至23℃冷却盘冷却，冷却时间为30～45s。

6.根据权利要求5所述的图形化衬底的方法，其特征在于，

所述正性光刻胶包括酚醛树脂、重氮奈醌磺酸酯和丙二醇甲醚醋酸酯。

7.根据权利要求1所述的图形化衬底的方法，其特征在于，

所述通过曝光机和光刻版对光刻掩膜进行曝光处理的步骤，具体为：

设置曝光机的曝光焦距为-0.3～0.3μm、曝光时间为150～300mms，对光刻掩膜进行曝光处理，将光刻版上的图形转移到光刻掩膜上，然后将衬底送至热板烘烤，烘烤温度为100～120℃，烘烤时间为60～120s，再将衬底送至23℃冷却盘冷却，冷却时间为30～45s。

8.根据权利要求1或7所述的图形化衬底的方法，其特征在于，

所述光刻版上的图形为多个尺寸相同的圆形，且所述圆形的直径为2.0～2.4μm。

9.根据权利要求1所述的图形化衬底的方法，其特征在于，

所述将曝光处理后的衬底送入显影设备，对衬底表面喷淋负性显影液，然后使用有机冲洗剂冲洗衬底表面，旋干后送至热板烘烤，得到一次显影后的衬底的步骤之后，还包括：

将衬底送至23℃冷却盘冷却，冷却时间K1＝20～30s。

10.根据权利要求9所述的图形化衬底的方法，其特征在于，

所述将一次显影后的衬底继续送入显影设备，对衬底表面喷淋负性显影液，然后使用有机冲洗剂冲洗衬底表面，旋干后送至热板烘烤，得到二次显影后的衬底的步骤之后，还包括：

将衬底送至23℃冷却盘冷却，冷却时间K2＝K1。