[发明专利]一种原位掺杂型钴系芬顿催化剂及其合成方法和应用在审
| 申请号： | 201810801489.0 | 申请日： | 2018-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN108940342A | 公开（公告）日： | 2018-12-07 |
| 发明（设计）人： | 吕来;胡春;王裕猛 | 申请（专利权）人： | 广州大学 |
| 主分类号： | B01J27/24 | 分类号： | B01J27/24;C02F1/72;C02F101/30 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 颜希文;宋静娜 |
| 地址： | 510000 广东省广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种原位掺杂型钴系芬顿催化剂及其合成方法和应用，所述原位掺杂型钴系芬顿催化剂的合成方法包括在前驱体中加入钴源，然后通过原位掺杂的焙烧过程合成所述原位掺杂型钴系芬顿催化剂；所述前驱体为三聚氰胺、单氰胺、二氰二胺或尿素。本发明的原位掺杂型钴系芬顿催化剂(in‑situ‑Co‑g‑C3N4)呈现出典型的氮化碳片层状结构，结构中C‑O‑Co键的形成促进了双反应中心的形成，H2O2和污染物分别在富电子中心和缺电子中心分别得到还原和分解，避免了金属离子自身氧化还原而导致活性组分流失的问题。in‑situ‑Co‑g‑C3N4在中性条件下对难降解的新型有机污染物具有很好的去除效果，且在降解污染物的过程中，具有强的活化H2O2的能力，还具有很好的稳定性，其中的钴离子溶出率低。 | ||
| 搜索关键词： | 原位掺杂型 钴系 催化剂 合成 前驱体 焙烧 活性组分流失 降解污染物 片层状结构 有机污染物 二氰二胺 反应中心 过程合成 金属离子 三聚氰胺 氧化还原 原位掺杂 中性条件 单氰胺 氮化碳 富电子 溶出率 钴离子 活化 降解 钴源 尿素 去除 还原 应用 污染物 分解 | ||
【主权项】：
1.一种原位掺杂型钴系芬顿催化剂的合成方法，其特征在于，在前驱体中加入钴源，然后通过原位掺杂的焙烧过程合成所述原位掺杂型钴系芬顿催化剂；所述前驱体为三聚氰胺、单氰胺、二氰二胺或尿素。
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