[发明专利]一种多芯片PQFN封装方法及结构在审
| 申请号： | 201810790170.2 | 申请日： | 2018-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN108962865A | 公开（公告）日： | 2018-12-07 |
| 发明（设计）人： | 张允武;许欢;胡孔生;陆扬扬;禹阔 | 申请（专利权）人： | 无锡安趋电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495;H01L25/065 |
| 代理公司： | 北京德崇智捷知识产权代理有限公司 11467 | 代理人： | 黄雪 |
| 地址： | 214028 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种多芯片PQFN封装方法及结构，所述方法包括以下步骤：基于至少一个高侧功率器件不与其余高侧功率器件耦合于同一个引线框架的原理，分布引线框架；将多芯片模块耦合在各自对应的引线框架上；连接多芯片模块；其中，所述多芯片模块包括，所述至少一个高侧功率器件以及所述其余高侧功率器件。本发明的一种多芯片PQFN封装方法及结构，采用低成本单层引线框架实现多芯片模块之间的系统连接，相比较于传统低成本单层引线框架PQFN封装结构，降低了走线与布线难度，充分利用引线框架的电气互连提高了整体的电气性能。 | ||
| 搜索关键词： | 多芯片模块 功率器件 高侧 引线框架 多芯片 封装 单层引线框架 耦合 低成本 布线难度 电气互连 电气性能 分布引线 封装结构 系统连接 走线 | ||
【主权项】：
1.一种多芯片PQFN封装方法，其特征在于，包括以下步骤：基于至少一个高侧功率器件不与其余高侧功率器件耦合于同一个引线框架的原理，分布引线框架；将多芯片模块耦合在各自对应的引线框架上；连接多芯片模块；其中，所述多芯片模块包括，所述至少一个高侧功率器件以及所述其余高侧功率器件。
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