[发明专利]一种稳压LED外延结构及其制作方法、LED芯片和LED灯管在审
| 申请号： | 201810781754.3 | 申请日： | 2018-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN109065687A | 公开（公告）日： | 2018-12-21 |
| 发明（设计）人： | 仇美懿 | 申请（专利权）人： | 佛山市国星半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 胡枫 |
| 地址： | 528200 广东省佛山市南海区狮*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种稳压LED外延结构，包括衬底，设于衬底上的U型GaN层，设于U型GaN层上的N型GaN层，设于N型GaN层上的第一P型GaN层，设于第一P型GaN层上的有源层，设于有源层上的第二P型GaN层。本发明在N型GaN层和有源层之间设置一个第一P型GaN层，对LED芯片起到稳压的作用，提高了LED芯片寿命和稳定性，所述第一P型GaN层代替了设置在LED芯片外部的齐纳二极管，LED灯管不需要外接齐纳二极管或直流电源的稳压器，从而节省了成本。相应地，本发明还公开了一种稳压LED外延结构的制作方法，以及包含稳压LED外延结构的LED芯片和LED灯管。采用本发明，LED灯管成本低，寿命长，可靠性高。 | ||
| 搜索关键词： | 稳压 源层 齐纳二极管 衬底 直流电源 稳压器 外接 制作 外部 | ||
【主权项】：
1.一种稳压LED外延结构，其特征在于，包括：衬底，设于衬底上的U型GaN层，设于U型GaN层上的N型GaN层，设于N型GaN层上的第一P型GaN层，设于第一P型GaN层上的有源层，设于有源层上的第二P型GaN层。
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