[发明专利]一种稳压LED外延结构及其制作方法、LED芯片和LED灯管在审
| 申请号： | 201810781754.3 | 申请日： | 2018-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN109065687A | 公开（公告）日： | 2018-12-21 |
| 发明（设计）人： | 仇美懿 | 申请（专利权）人： | 佛山市国星半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 胡枫 |
| 地址： | 528200 广东省佛山市南海区狮*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 稳压 源层 齐纳二极管 衬底 直流电源 稳压器 外接 制作 外部 | ||
1.一种稳压LED外延结构，其特征在于，包括：衬底，设于衬底上的U型GaN层，设于U型GaN层上的N型GaN层，设于N型GaN层上的第一P型GaN层，设于第一P型GaN层上的有源层，设于有源层上的第二P型GaN层。
2.如权利要求1所述的稳压LED外延结构，其特征在于，所述第一P型GaN层包括至少一个PN键结。
3.如权利要求1所述的稳压LED外延结构，其特征在于，所述第一P型GaN层的厚度为1-100nm。
4.一种稳压LED外延结构的制作方法，其特征在于，包括：
提供一衬底；
在所述衬底上形成U型GaN层；
在所述U型GaN层上形成N型GaN层；
在所述N型GaN层上形成第一P型GaN层；
在所述第一P型GaN层上形成有源层；
在所述有源层上形成第二P型GaN层。
5.如权利要求4所述的稳压LED外延结构的制作方法，其特征在于，述第一P型GaN层包括至少一个PN键结。
6.如权利要求4所述的稳压LED外延结构的制作方法，其特征在于，所述第一P型GaN层的掺杂浓度不高于1017cm-3。
7.如权利要求6所述的稳压LED外延结构的制作方法，其特征在于，所述第一P型GaN层的形成压力不高于200mtorr，形成温度不高于700℃。
8.如权利要求6所述的稳压LED外延结构的制作方法，其特征在于，在所述第一P型GaN层的形成过程中通入掺杂气体，所述掺杂气体包括CH4和/或Mg(C5H5)2。
9.一种LED芯片，其特征在于，包括如权利要求1-3所述的稳压LED外延结构。
10.一种LED灯管，其特征在于，包括如权利要求9所述的LED芯片。
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