[发明专利]一种半导体器件芯片晶圆的划片方法

摘要

本发明属于半导体器件与集成电路制造技术领域，具体涉及一种半导体器件芯片晶圆的划片方法。主要适用于超小尺寸、超薄的半导体芯片晶圆的划片。本专利的有益效果是：本发明的划片方法，消除了划片切割时应力较大、划片过程中易出现崩边或缺角的现象，提高了划片工序的质量及成品率，其经济效益十分明显；本发明的划片机为DAD321型划片机，切割过程确保走刀位置的准确性和切割的精度，操作简单，切割速度快。

主权项

1.一种半导体器件芯片晶圆的划片方法，其特征在于：设定所需管芯的面积为a微米*a微米，X方向相邻两刀的划刀距离等于管芯边长(含划片间距)的整数倍m，Y方向相邻两刀的划刀距离等于管芯边长的整数倍n，具体包括以下步骤：步骤S1：首先沿X方向于首行管芯间隙中线划一刀痕X1作为X方向第一组X向划刀的起切线，然后沿X方向以起切线X1为初始起点，按照a*m微米的步距从左至右依次划片，直到X方向划片完成；步骤W1：顺时针旋转90°，其次沿Y方向于首行管芯间隙中线划一刀痕Y1作为Y方向第一组Y向划刀的起切线，然后沿Y方向以起切线Y1为初始起点按照a*n微米的步距从左至右依次划片，直到Y方向划片完成；步骤S2：逆时针旋转90°回到X方向，沿X方向与X1距离a微米划一刀作为X方向第二组X向划刀的起切线X2，其次沿X方向以起切线X2为初始起点按照a*m微米的步距从左至右依次划片，直到X方向划片完成；步骤W2：顺时针旋转90°回到Y方向，沿Y方向与Y1距离a微米划一刀作为Y方向第二组Y向划刀的起切线Y2，其次沿Y方向以起切线Y2为初始起点按照a*n微米的步距从左至右依次划片，直到Y方向划片完成；……步骤SM：逆时针旋转90°回到X方向，沿X方向与X1距离(m‑1)*a微米划一刀作为X方向第m组X向划刀的起切线Xm，其次沿X方向以起切线Xm为初始起点按照a*m微米的步距从左至右依次划片，直到X方向划片完成；……步骤WN：顺时针旋转90°回到Y方向，沿Y方向与Y1距离(n‑1)*a微米划一刀作为Y方向第n组Y向划刀的起切线Yn，其次沿Y方向以起切线Yn为初始起点按照a*n微米的步距从左至右依次划片，直到Y方向划片完成；划片完成。