[发明专利]一种半导体器件芯片晶圆的划片方法在审
| 申请号： | 201810778531.1 | 申请日： | 2018-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN109037102A | 公开（公告）日： | 2018-12-18 |
| 发明（设计）人： | 刘明;刘佳;王慧 | 申请（专利权）人： | 扬州晶新微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/304 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人： | 谈杰 |
| 地址： | 225000*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 划片 晶圆 半导体器件芯片 切割 划片机 集成电路制造技术 半导体器件 半导体芯片 切割过程 成品率 崩边 缺角 走刀 | ||
1.一种半导体器件芯片晶圆的划片方法，其特征在于：设定所需管芯的面积为a微米*a微米，X方向相邻两刀的划刀距离等于管芯边长(含划片间距)的整数倍m，Y方向相邻两刀的划刀距离等于管芯边长的整数倍n，具体包括以下步骤：
步骤S1：首先沿X方向于首行管芯间隙中线划一刀痕X1作为X方向第一组X向划刀的起切线，然后沿X方向以起切线X1为初始起点，按照a*m微米的步距从左至右依次划片，直到X方向划片完成；
步骤W1：顺时针旋转90°，其次沿Y方向于首行管芯间隙中线划一刀痕Y1作为Y方向第一组Y向划刀的起切线，然后沿Y方向以起切线Y1为初始起点按照a*n微米的步距从左至右依次划片，直到Y方向划片完成；
步骤S2：逆时针旋转90°回到X方向，沿X方向与X1距离a微米划一刀作为X方向第二组X向划刀的起切线X2，其次沿X方向以起切线X2为初始起点按照a*m微米的步距从左至右依次划片，直到X方向划片完成；
步骤W2：顺时针旋转90°回到Y方向，沿Y方向与Y1距离a微米划一刀作为Y方向第二组Y向划刀的起切线Y2，其次沿Y方向以起切线Y2为初始起点按照a*n微米的步距从左至右依次划片，直到Y方向划片完成；
……
步骤SM：逆时针旋转90°回到X方向，沿X方向与X1距离(m-1)*a微米划一刀作为X方向第m组X向划刀的起切线Xm，其次沿X方向以起切线Xm为初始起点按照a*m微米的步距从左至右依次划片，直到X方向划片完成；
……
步骤WN：顺时针旋转90°回到Y方向，沿Y方向与Y1距离(n-1)*a微米划一刀作为Y方向第n组Y向划刀的起切线Yn，其次沿Y方向以起切线Yn为初始起点按照a*n微米的步距从左至右依次划片，直到Y方向划片完成；
划片完成。
2.根据权利要求1所述的一种半导体器件芯片晶圆的划片方法，其特征在于：所述m的取值为1-5，所述n的取值为1-5，所述m与n的取值不能同时为1。
3.根据权利要求2所述的一种半导体器件芯片晶圆的划片方法，其特征在于：所述m的取值为3,所述n的取值为1。
4.根据权利要求3所述的一种半导体器件芯片晶圆的划片方法，其特征在于：使用金刚刀片沿晶片的划片道进行切割，所述金刚刀片的宽度为15微米～20微米。
5.根据权利要求4所述的一种半导体器件芯片晶圆的划片方法，其特征在于：所述划片机为DAD321型划片机。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于扬州晶新微电子有限公司，未经扬州晶新微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810778531.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：晶圆加工设备
- 下一篇：一种应用雾化法清洗晶圆表面的半导体设备与工艺
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
