[发明专利]一维InGaN/AlGaN多量子阱型的紫外LED及其制备方法有效
| 申请号： | 201810776377.4 | 申请日： | 2018-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN108807622B | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | 李国强 | 申请（专利权）人： | 河源市众拓光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 44288 | 代理人： | 秦维;汪卫军 |
| 地址： | 517000 广东省河*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一维InGaN/AlGaN多量子阱型的紫外LED及其制备方法，紫外LED包括衬底、自下至上依次生长在衬底上的一维AlN缓冲层、AlGaN缓冲层、GaN层、n‑GaN层、一维GaN/InGaN超晶格层、一维InGaN/AlGaN多量子阱层、电子阻挡层、p‑GaN层；所述一维AlN缓冲层、一维GaN/InGaN超晶格层及一维InGaN/AlGaN量子阱层均由一维材料生长而成。本发明充分利用一维材料相对于薄膜材料的优势，在特定层用一维材料代替薄膜材料，“过滤”量子阱前段产生的内应力，以降低量子阱层中的内应力与缺陷密度、提高量子阱层中电子与空穴的有效复合效率，从而提高紫外LED的光效。 | ||
| 搜索关键词： | ingan algan 多量 子阱型 紫外 led 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一维InGaN/AlGaN多量子阱型的紫外LED，其特征在于，包括衬底、自下至上依次生长在衬底上的AlN缓冲层、AlGaN缓冲层、GaN层、n‑GaN层、GaN/InGaN超晶格层、一维InGaN/AlGaN多量子阱层、电子阻挡层、p‑GaN层；所述一维InGaN/AlGaN量子阱层均由一维材料生长而成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于河源市众拓光电科技有限公司，未经河源市众拓光电科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810776377.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
