[发明专利]一维InGaN/AlGaN多量子阱型的紫外LED及其制备方法

权利要求书

1.一维InGaN/AlGaN多量子阱型的紫外LED，其特征在于，包括衬底、自下至上依次生长在衬底上的AlN缓冲层、AlGaN缓冲层、GaN层、n-GaN层、GaN/InGaN超晶格层、一维InGaN/AlGaN多量子阱层、电子阻挡层、p-GaN层；所述一维InGaN/AlGaN多量子阱层均由一维材料生长而成；

所述AlN缓冲层为一维AlN缓冲层，AlN缓冲层的材料是一维AlN材料；

所述GaN/InGaN超晶格层为一维GaN/InGaN超晶格层，GaN/InGaN超晶格层的材料由一维GaN材料和一维InGaN材料组成；

该一维InGaN/AlGaN多量子阱型的紫外LED的制备方法，包括一维InGaN/AlGaN多量子阱层的制备步骤，

所述一维InGaN/AlGaN多量子阱层的制备步骤为：采用金属有机物化学气相沉积法，将反应室温度保持为650-1000℃，气压保持为200-400 Torr，通入氨气、氮气、和金属源，控制氨气含量在150-300 sccm，金属源流量在150-250sccm，在一维GaN/InGaN超晶格层上生长以3~10个周期交错层叠的一维InGaN阱层和一维AlGaN垒层。

2.如权利要求1所述的一维InGaN/AlGaN多量子阱型的紫外LED，其特征在于，所述衬底为蓝宝石、Si、SiC、GaN、ZnO、LiGaO₂、LaSrAlTaO₆、Al、Cu中的一种。

3.如权利要求1所述的一维InGaN/AlGaN多量子阱型的紫外LED，其特征在于，所述电子阻挡层为AlGaN电子阻挡层、InAlN电子阻挡层或AlInGaN电子阻挡层中的一种。

4.如权利要求1-3任一项所述的一维InGaN/AlGaN多量子阱型的紫外LED，其特征在于，所述一维InGaN/AlGaN多量子阱层为3-10个周期的InGaN阱层/AlGaN垒层，每个周期势阱层的厚度为0-8 nm，势垒层的厚度为8-20 nm。

5.如权利要求4所述的一维InGaN/AlGaN多量子阱型的紫外LED，其特征在于，所述AlN缓冲层的厚度为100-250nm；所述AlGaN缓冲层的厚度为400-500nm；所述GaN层的厚度为500-1500nm；所述n-GaN层的厚度为1500-3000nm；所述GaN/InGaN超晶格层为2-5个周期交错层叠的5-20 nm的GaN层和2-10 nm厚的InGaN层；所述电子阻挡层的厚度为15-30 nm；所述p-GaN层的厚度为200-350 nm。