[发明专利]一种带有防打火装置的离子源在审
申请号: | 201810776228.8 | 申请日: | 2018-07-16 |
公开(公告)号: | CN108682600A | 公开(公告)日: | 2018-10-19 |
发明(设计)人: | 任秀艳;吴灵美;曾自强;曹进文 | 申请(专利权)人: | 中国原子能科学研究院 |
主分类号: | H01J5/02 | 分类号: | H01J5/02;H01J5/06 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 102413 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本公开属于同位素领域,特别涉及一种带有防打火装置的离子源;该装置包括:高压屏蔽外壳、防打火罩、PIG板;其中高压屏蔽外壳固定在离子源头部;防打火罩固定在离子源头部和中部;两块儿PIG板通过电极支架固定在离子源头部两侧。大大降低了在同位素电磁分离器用离子源工作时,由于离子源处于高电位、高磁场情况下,经常出现打火的问题,提高了离子源的工作的稳定性。 | ||
搜索关键词: | 离子源 防打火 离子源头部 高压屏蔽 同位素 电磁分离 电极支架 外壳固定 高磁场 高电位 打火 | ||
【主权项】:
1.一种带有防打火装置的离子源,该离子源的防打火装置包括:高压屏蔽外壳(C);其中所述高压屏蔽外壳(C)固定在离子源头部;所述高压屏蔽外壳(C)包括:第一箱体(1)和第二箱体(2);第一箱体(1)与第二箱体(2)固定连接,并且互相畅通,形成L型箱体结构的高压屏蔽外壳(C),并且在高压屏蔽外壳(C)底部为敞开设置;所述第二箱体(2)顶部设置有U型排列的贯穿圆孔,且所述贯穿圆孔排列的成U型的开口对准第一箱体(1);在所述贯穿圆孔排列成的U型内部设置有长方形贯穿圆孔。
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