[发明专利]一种三元p型CuBi2 有效
| 申请号： | 201810775365.X | 申请日： | 2018-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN109148593B | 公开（公告）日： | 2020-09-01 |
| 发明（设计）人： | 任锦华;张群 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/34 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;陆尤 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： |
本发明属于薄膜晶体管技术领域，具体为一种三元p型CuBi |
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| 搜索关键词： | 一种 三元 cubi base sub | ||
【主权项】：
1.一种三元p型CuBi2O4薄膜晶体管，其特征在于，包括：（1）衬底，作为栅电极使用；（2） 绝缘层，为氧化物薄膜，生长在上述硅衬底上；（3） 沟道层，为p型CuBi2O4薄膜，生长在上述绝缘层上；（4） 源漏电极，材料为Au、Ni、Cu或ITO，生长在上述沟道层上。
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