[发明专利]一种三元p型CuBi2

权利要求书

1.一种三元p型CuBi₂O₄薄膜晶体管，其特征在于，包括：

（1）衬底，作为栅电极使用；

（2）绝缘层，为氧化物薄膜，生长在上述衬底上；

（3）沟道层，为p型CuBi₂O₄薄膜，生长在上述绝缘层上；

（4）源漏电极，材料为Au、Ni、Cu或ITO，生长在上述沟道层上。

2.根据权利要求1所述的p型CuBi₂O₄薄膜晶体管，其特征在于，所述衬底为重掺杂p

型硅衬底。

3.根据权利要求1所述的p型CuBi₂O₄薄膜晶体管，其特征在于，所述氧化物薄膜

为100~300 nm厚度的热氧化SiO₂膜。

4.一种如权利要求1-3之一所述的p型CuBi₂O₄薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，具体步骤为：

（1）制备p型CuBi₂O₄沟道层：采用射频磁控溅射法，在衬底上沉积CuBi₂O₄薄膜，后在空气气氛下进行热退火处理，得到p型CuBi₂O₄沟道层；

（2）制备源漏电极：在步骤（1）的基础上，采用射频磁控溅射法，在沟道层上沉积源漏电极，即得到底栅结构型TFT器件。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，步骤（1）所述磁控溅射法中，采用不锈钢掩模板进行沟道层的图形化。

6.根据权利要求4或5所述的制备方法，其特征在于，步骤（1）所述磁控溅射法中，射频功率为40~150 W，基板温度为25~400℃；溅射气氛为氧气和氩气的混合气体，流量比为0~0.1，总气压为0.1~1 Pa；热退火处理温度为400~600℃，热处理时间为1~5 h。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，步骤（2）所述磁控溅射法中，源漏电极的图形化采用不锈钢掩模板进行。

8. 根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，步骤（2）所述磁控溅射法中，采用的源漏电极材料为Au、Ni、Cu或ITO，溅射气氛为氩气，溅射气压为0.5~1 Pa，溅射功率为20~150 W。