[发明专利]吸收结构的制造方法及吸收结构在审
| 申请号： | 201810771742.2 | 申请日： | 2018-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN108807573A | 公开（公告）日： | 2018-11-13 |
| 发明（设计）人： | 赵长颖;刘梦琦;王博翔 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | H01L31/0352 | 分类号： | H01L31/0352;H01L31/0445;H01L31/02;H01L31/18 |
| 代理公司： | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人： | 庄文莉 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种吸收结构的制造方法及吸收结构，吸收结构包括结构单元以及设置在结构单元上的多个通孔，其特征在于，包括如下步骤：步骤1，获得结构单元的尺寸L；步骤2，根据尺寸L确定被限制的波矢范围kc；步骤3，使小于波数范围kc的波矢满足结构因子等于0；步骤4，获得通孔分布，其中通孔分布满足分子动力学模拟中的结构势函数的值最小。与现有技术相比，本发明的有益效果如下：可应用于薄膜太阳能电池的对入射光极化状态不敏感的超齐构吸收结构在垂直入射条件下，吸收结构在太阳能波段的整体吸收能力高达67.8％，是未结构化无定型硅薄板的1.74倍，在特定宽波段内的吸收率可大于0.8，表现出宽谱高吸收的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 吸收结构 通孔 波矢 吸收率 薄膜太阳能电池 分子动力学模拟 垂直入射 极化状态 结构因子 无定型硅 整体吸收 不敏感 结构化 宽波段 入射光 势函数 波段 波数 宽谱 制造 太阳能 吸收 应用 表现 | ||
【主权项】：
1.一种吸收结构的制造方法，吸收结构包括结构单元以及设置在结构单元上的多个通孔，其特征在于，包括如下步骤：步骤1，获得结构单元的尺寸L；步骤2，根据尺寸L确定被限制的波矢范围kc；步骤3，使小于波数范围kc的波矢满足结构因子等于0；步骤4，获得通孔分布，其中通孔分布满足分子动力学模拟中的结构势函数的值最小。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海交通大学，未经上海交通大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810771742.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
