[发明专利]吸收结构的制造方法及吸收结构

权利要求书

1.一种吸收结构的制造方法，吸收结构包括结构单元以及设置在结构单元上的多个通孔，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1，获得结构单元的尺寸L；

步骤2，根据尺寸L确定被限制的波矢范围k_c；

步骤3，使小于波数范围k_c的波矢满足结构因子等于0；

步骤4，获得通孔分布，其中通孔分布满足分子动力学模拟中的结构势函数的值最小。

2.根据权利要求1所述的吸收结构的制造方法，其特征在于，步骤1中，结构单元的尺寸L满足：

其中，N为通孔的数目，r为通孔的半径，f为通孔的填充比。

3.根据权利要求1所述的吸收结构的制造方法，其特征在于，步骤2中，将结构单元转换到波矢空间，根据尺寸L的大小在倒格子空间确定被限制的波矢范围k_c。

4.根据权利要求1所述的吸收结构的制造方法，其特征在于，步骤3中，使小于波数范围k_c的波矢满足结构因子等于0为S(k＜k_c)＝0；

其中，k为互易空间的波失，k_c为临界波失，k＜k_c为满足此条件的波失被限制在结构因子为0的区域；

S(k)满足：

其中，i为虚数单位，R_j为第j个通孔的空间位置，j为正整数、j≥1。

5.根据权利要求1所述的吸收结构的制造方法，其特征在于，步骤4中，结合模拟退火算法选择最优的通孔分布，通孔分布使得分子动力学模拟中的结构势函数的值最小；其中结构势函数E满足：

6.一种吸收结构，其特征在于，包括：

结构单元；

通孔，多个通孔设置在结构单元上；其中

通孔满足如权利要求1至5任意一项权利要求所述的吸收结构的制造方法。

7.根据权利要求6所述的吸收结构，其特征在于，结构单元的厚度为0.2μm，结构单元的尺寸为4μm×4μm。

8.根据权利要求6或7所述的吸收结构，其特征在于，结构单元为无定型硅板。

9.根据权利要求6所述的吸收结构，其特征在于，通孔的半径为0.12μm。

10.根据权利要求6所述的吸收结构，其特征在于，通孔的数量为140个。