[发明专利]一种基于氧化钼微米带/氧化镍纳米材料异质结构的紫外/可见光响应器件在审
申请号: | 201810761882.1 | 申请日: | 2018-07-12 |
公开(公告)号: | CN109087960A | 公开(公告)日: | 2018-12-25 |
发明(设计)人: | 于乃森;陈向丰;齐岩;赵海燕;苑青;董斌 | 申请(专利权)人: | 大连民族大学 |
主分类号: | H01L31/032 | 分类号: | H01L31/032;H01L31/0352;H01L31/109;H01L31/18;B82Y30/00;B82Y40/00 |
代理公司: | 大连一通专利代理事务所(普通合伙) 21233 | 代理人: | 郭丽华 |
地址: | 116000 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | 一种基于氧化钼微米带/氧化镍纳米材料异质结构的紫外/可见光响应器件,所述器件结构自下而上依次为Si衬底、SiO2绝缘层、氧化钼微米带、NiO纳米片状结构层以及分别与氧化钼微米带和NiO片状结构接触的Ag胶。本发明制备方法:以Si片为衬底,采用热氧化法生长SiO2薄膜;采用气相输运法生长氧化钼微米带;提取单根MoO3,置于第一步骤中生长有SiO2薄膜的Si片表面,同时一端用导电Ag胶固定。采用低温水溶液方法生长NiO纳米材料,将得到的样品浸入镍盐溶液中,在生长有NiO材料一端,用导电Ag胶固定。本发明制备方法简单、反应温度低并且制备出的产品对紫外/可见光波段都有着非常好的光响应,特别是具有非常快的光响应速度。 | ||
搜索关键词: | 微米带 氧化钼 纳米材料 生长 制备 可见光响应 异质结构 光响应 胶固定 氧化镍 衬底 导电 纳米片状结构 低温水溶液 可见光波段 浸入 镍盐溶液 片状结构 器件结构 热氧化法 单根 输运 | ||
【主权项】:
1.一种基于氧化钼微米带/氧化镍纳米材料异质结构的紫外/可见光响应器件,其特征在于:其是由Si衬底,SiO2绝缘层、氧化钼微米带、NiO纳米片状结构以及分别与氧化钼微米带和NiO纳米片状结构接触的Ag胶组成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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