[发明专利]一种基于氧化钼微米带/氧化镍纳米材料异质结构的紫外/可见光响应器件

权利要求书

1.一种基于氧化钼微米带/氧化镍纳米材料异质结构的紫外/可见光响应器件，其特征在于：其是由Si衬底，SiO₂绝缘层、氧化钼微米带、NiO纳米片状结构以及分别与氧化钼微米带和NiO纳米片状结构接触的Ag胶组成。

2.根据权利要求1所述的基于基于氧化钼微米带/NiO纳米材料异质结构的紫外/可见光响应器件，其特征在于：所述器件结构自下而上依次为Si衬底、SiO₂绝缘层、氧化钼微米带、NiO纳米片状结构以及分别与氧化钼微米带和NiO纳米片状结构接触的Ag胶组成。

3.权利要求1的基于基于氧化钼微米带/NiO纳米结构的紫外/可见光响应器件的制备方法，其特征在于：

①以Si片为衬底，首先采用热氧化法生长SiO₂绝缘层薄膜，其厚度为300nm；

②采用气相输运法生长氧化钼微米带，称取10克钼酸铵(NH₄)6MO₇O₂4·4H₂O放在氧化铝坩埚，置于加热炉中加热，以60℃/分钟升温至1250℃，并保温1小时。生长中保持炉门有3-4毫米的自由空间，便于气流输运，最后在低温区域收集MoO3微米带，其长度为100-200μm；

③将步骤②得到的MoO₃置于显微镜下，用镊子提取单根MoO₃，置于步骤①中生长有SiO₂薄膜的Si片表面，同时一端用导电Ag胶固定，将所得样品置于加热台，在150℃条件下加热15分钟使Ag胶固化；

④将0.62g乙酸镍溶于50ml乙醇，制得籽晶溶液；将表面有Ag胶固定的MoO₃的Si衬底置于旋涂机上，将籽晶溶液滴于表面，静置5分钟按照2500转/分转速进行旋涂，旋涂时间为5min，随后将生长有籽晶的衬底置于快速加热台，在200℃条件下快速加热15分钟后，随后自然冷却到室温；

⑤将0.85g硝酸镍和0.70g六次甲基四胺溶于100ml水，快速搅拌均匀，制得混合溶液；

⑥将生长有籽晶的有Ag胶固定的MoO₃的Si衬底浸入步骤⑤混合溶液中，于90℃温度反应5小时，反应结束取出所得Si衬底并用水洗涤，晾干；

⑦将步骤⑥得到的样品置于显微镜下，在生长有NiO材料一端，用导电Ag胶固定，最后将所得样品置于加热台，在150℃条件下加热15分钟使Ag胶固化。